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飞利浦半导体
产品speci fi cation
8位微控制器与双音多频发生器,
8字节的OTP和128字节的EEPROM
22焊接
本文给出了一个非常简短的洞察到一个复杂的技术。
更深入的焊接集成电路帐户中可以找到
我们的
“ IC封装数据手册”
(订货代码9398 652 90011 ) 。
22.1
再溢流焊接
PCD3755A ; PCD3755E ;
PCD3755F
封装尺寸的纵向轴必须
平行于焊料流动。
包足迹必须纳入焊料小偷在
下游端。
22.2.3
M
ETHOD
( LQFP
SO )
回流焊接技术适用于所有的LQFP和
SO封装。回流焊接要求锡膏(一
悬挂焊料微粒的通量和结合剂)
通过丝网印刷被施加到印刷电路板,
包之前模板印制或压力注射器配药
放置。
几种技术存在回流;例如,
由带加热的热传导。停留时间各不相同
在50和300这取决于加热秒
方法。典型的回流焊温度范围从
215 250
°C.
预热是必要的以干燥糊和蒸发
结合剂。预热时间:在45分钟
45
°C.
22.2
22.2.1
波峰焊
LQFP
在布局和焊接前,该方案必须
固定用粘接剂的液滴。粘合剂可以是
通过丝网印刷,转移针或注射器应用
配药。包可以后焊接
粘合剂固化。
最大允许焊接温度为260
°C,
包浸泡在焊料最大持续时间为
10秒后,如果冷却到低于150
°C
6秒。典型的停留时间为4秒,在250
°C.
轻度激活通量将不再需要去除
的腐蚀残留在大多数应用中。
22.3
22.3.1
DIP
S
OLDERING浸渍或WAVE
波峰焊
推荐LQFP封装。
这是因为焊料桥连的,由于似然的
紧密间隔的引线和不完全的可能性
焊锡渗透在多导联设备。
如果不能避免波峰焊,下面
条件必须遵守:
双波(A波汹涌的高向上
压力随后是光滑层波)
焊接技术应该被使用。
占地面积必须在45 °到电路板的角度
方向,必须纳入焊料小偷
并在下游侧的角部。
即使有了这些条件,不考虑波
焊接LQFP封装LQFP32 ( SOT401-1 )
LQFP48 ( SOT313-2 ) , LQFP64 ( SOT314-2和
SOT414-1 ) , LQFP80 ( SOT315-1 )或
LQFP100 ( SOT407-1 ) 。
22.2.2
SO
焊料的最大允许温度是
260
°C;
焊料在此温度下必须不接触
与接头为5秒以上。总接触
连续焊锡波的时间不得超过
5秒。
所述装置可以安装到该底座面,但
塑料体的温度必须不超过
规定的最高储存温度(T
英镑(最大值)
) 。如果
印刷电路板已预先加热,强制冷却
可能是必要的后焊接,以保持
温度在允许范围之内。
22.4
修复焊接接头
修复LQFP和SO先焊2 diagonally-
另一端的线索。只能使用低电压烙铁
(小于24伏)施加到引线的平坦部分。联系
时间必须限制在10秒到300
°C.
使用专用工具,所有其它导线可以在被焊接
介于2至5秒内一次操作
270和320
°C.
对于DIP ,适用于低电压电烙铁(小于24 V )
于封装的引线上,下方的底座面或
不大于2毫米它上面。如果该温度
烙铁位小于300
°C
它可以保持在
接触时间长达10秒。如果该位是温度
300和400之间
°C,
接触可以是至多5秒。
波峰焊接技术可用于所有的SO
包如果观察到以下情况:
双波(A波汹涌的高向上
压力,其次是光滑的层流波)焊
技术应该被使用。
1997年4月16日
30

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