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MIC5245
麦克雷尔
ACTIVE SHUTDOWN
该MIC5245还具有主动关闭钳，其中
是N沟道MOSFET，导通时，该设备是
禁用。这使得输出电容和负载以显示
充，断电的负荷。
散热注意事项
该MIC5245的目的是提供连续150毫安
电流在一个非常小的封装。最大功率耗散
可以基于所述输出电流和电压计算
在零件掉落。来确定最大功率
封装的散热，使用结点到环境的热敏
该装置与下面的基本公式的发作性：
T
J（下最大）
T
A
P
D（最大）
=
θ
JA
T
J（下最大）
是模具的最大结温，
125 ℃，而T
A
是环境工作温度。
θ
JA
is
布局依赖性;表1示出结点到的实例
为MIC5245环境的热阻。
包
SOT- 23-5 （ M5 ）
θ
JA
推荐
θ
JA
1"广场
最小的足迹覆铜箔
235°C/W
185°C/W
θ
JC
145°C/W
应用信息
开启/关闭
该MIC5245带有一个高电平有效使能引脚
使稳压器被禁用。强制的使能引脚为低电平
禁用调节器，并将其发送到一个“零”离模态振
当前状态。在这种状态下，电流消耗的调节器
变为几乎为零。强制的使能引脚高电平启动
输出电压。这部分是CMOS的使能引脚不能
被悬空;浮动的使能引脚可导致indetermi-
内特状态的输出。
输入电容
不需要稳定的输入电容器。一个1μF的输入
电容建议时，大部分AC电源电容
tance超过10英寸的距离是从设备时，或者当
电源是电池。
输出电容
该MIC5245需要一个输出电容即可稳定工作。该
设计需要1μF或更大的输出来维持
稳定。该电容可以使用低ESR的陶瓷片
电容。该MIC5245已被设计为工作specifi-
美云与低成本，小片状电容器。钽
电容还可以用于通过改进的电容
温度。电容器的值可以增加
没有约束。
X7R电介质的陶瓷电容建议使用，因为
事业的高温性能。 X7R型电容
器15％的电容改变对他们的工作温
温度范围内，而且是最稳定型的陶瓷的
电容器。 Z5U和Y5V介质电容器的值更改
由多达50分别在它们的工作％和60％的
温度范围。要使用的陶瓷芯片电容器与
Y5V电介质，该值必须比为X7R高得多
陶瓷或钽电容器，以保证在相同的最小
电容值在工作温度范围内。
钽电容器具有非常稳定的电介质多（10％
其工作温度范围内），并且还可以与使用
此设备。
旁路电容
电容器可放置在噪声旁路引脚来
地面，以减少输出电压噪声。该电容器逐
通过内部参考。一个0.01μF的电容是中建议
谁料适用于要求低噪声输出的应用。
瞬态响应
该MIC5245实现一种独特的输出级，以dramati-
美云改善瞬态响应恢复时间。的输出是
图腾柱CON组fi guration用P沟道MOSFET
设备和一个N沟道MOSFET钳位。 N沟道
夹具是一个显著较小的设备，防止
过冲时的重负载输出电压
删除。此功能有助于加快瞬态重
sponse通过显著降低瞬态响应恢
沉重的负荷（百毫安）光在过渡期间红霉素时间
负载（ 100μA ） 。
表1. SOT- 23-5热阻
调节器电路的实际功耗可
使用下式确定：
P
D
= (V
IN
– V
OUT
) I
OUT
+ V
IN
I
GND
代P
D（最大）
对于P
D
并求解操作
这是至关重要的应用条件将得到
最大运行条件为稳压电路。为
例如，使用操作MIC5245-3.3BM5在50℃时
最小足迹布局，最大输入电压为一
设定输出电流可以如下确定：
125
°
C
50
°
C
P
D（最大）
=
235
°
C / W
P
D（最大）
= 315MW
对于最小的结点至环境热阻
足迹是235 ℃/ W，从表1中的最大功率
功耗不得超过正常工作。运用
3.3V的输出电压和150mA电流的输出电流，
最大输入电压可被确定。因为这
设备是CMOS和接地电流通常为87μA以上
的负载范围，功率耗散所贡献
接地电流是< 1％ ，可以忽略该计算。
315MW = （V
IN
- 3.3V ） 150毫安
315MW = V
IN
×
150毫安 - 495mW
810mW = V
IN
×
150mA
V
IN （MAX）
= 5.4V
因此， 150mA时为3.3V的应用程序的输出电流可
接受5.4V的最大输入电压采用SOT- 23-5
封装。对于散热和热的充分讨论
MIC5245
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2000年6月
