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订购数量： ENN6303
CMOS IC
LC35V256EM ， ET- 70W
256K （ 32K字
×
8比特）的SRAM
控制引脚： OE和CE
概观
该LC35V256EM - 70W和LC35V256ET - 70W是
异步硅栅CMOS SRAM的一个32768-
字由8位结构。这些都是全CMOS器件
每个存储单元6个晶体管，并配备了ultralow-
电压运行，低工作电流消耗，以及一个
超低待机电流。控制输入包括OE为
快速内存访问和CE的节能和设备
选择。这使得这些设备的最佳选择系统
要求低功耗或电池备份，及品牌
内存扩展方便。超低待机电流
允许这些设备与电容备份所用
很好。
包装尺寸
单位：mm
3187A-SOP28D
[LC35V256EM-70W]
28
15
0.15
1
18.0
14
特点
电源电压范围： 3.0 3.6 V
访问时间： 70 ns的（最大）
待机电流： 0.8 μA （大
≤
60°C)
4.0 μA （大
≤
70°C)
工作温度： -10 + 70°C
数据保持电压： 2.0 3.6 V
所有I / O电平： CMOS兼容（ 0.8 V
CC
, 0.2 V
CC
)
输入/输出复用功能引脚，三态输出引脚
无时钟要求（全静态电路）
包
28引脚SOP （ 450万）塑料包装：
LC35V256EM-70W
28引脚TSOP （ 8
×
13.4毫米）塑料封装：
LC35V256ET-70W
0.4
1.27
0.1
2.3
三洋： SOP28D
单位：mm
3221 - TSOP28 （ I型）
[LC35V256ET-70W]
21
8
11.8
1.27max
22
28 1
0.55
8.1
7
0.2
0.125
0.08
三洋： TSOP28 （ I型）
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12800RM （ OT ）第6303-1 / 6
0.5
13.4
1.0
11.8
9.8
8.4
