半导体
技术参数
DC -DC转换器继电器驱动器，灯驱动器，
电机驱动器，选通应用。
KTC3552T
外延平面NPN晶体管
E
特点
采用FBET的， MBIT过程。
高电流容量。
低集电极 - 发射极饱和电压。
A
F
G
K
B
暗淡
A
B
2
3
C
D
MILLIMETERS
_
2.9 + 0.2
1.6+0.2/-0.1
_
0.70 + 0.05
_
0.4 + 0.1
2.8+0.2/-0.3
_
1.9 + 0.2
0.95
_
0.16 + 0.05
0.00-0.10
0.25+0.25/-0.15
0.60
0.55
D
超小型封装有助于终端产品的小型化。
高允许功耗。
补充KTA1552T 。
C
L
G
高速开关。
1
E
F
G
H
I
J
K
L
J
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
*
T
j
T
英镑
0.8
等级
80
80
50
6
3
6
600
0.9
150
-55
)
150
单位
V
V
V
A
mA
W
1.发射器
2.基
3.收集
记号
LOT号
型号名称
*封装安装在陶瓷基板（600
电气特性（ TA = 25 ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
Swiitching
时间
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE （ SAT ）
h
FE
f
T
C
ob
t
on
输入
测试条件
V
CB
= 40V ，我
E
=0
V
EB
= 4V ，我
C
=0
I
C
= 10 A，I
E
=0
I
C
= 100 A，V
BE
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
= 10 A，I
C
=0
I
C
= 1A ，我
B
=50mA
I
C
= 2A ，我
B
=100mA
I
C
= 2A ，我
B
=100mA
V
CE
= 2V ，我
C
=100mA
V
CE
= 10V ，我
C
=500mA
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
PW=20s
DC
＆ LT ;
1%
=
I
B1
I
B2
R
B
50
V
R
100F
470F
V
CC
=25V
R
L
产量
分钟。
-
-
80
80
50
6
-
-
-
200
-
-
-
贮存时间
t
英镑
下降时间
t
f
V
BE
=-5V
10I
B1
=-10I
B2
=I
C
=1A
2001. 6. 28
版本号： 0
I
J
最大额定值（ TA = 25
)
H
TSM
HL
典型值。
-
-
-
-
-
-
80
140
0.88
-
380
13
35
马克斯。
0.1
0.1
-
-
-
-
120
210
1.2
560
-
-
-
兆赫
pF
单位
A
A
V
V
V
V
mV
mV
V
-
300
-
nS
-
22
-
1/3
