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IDT 79RC32355
CLKP
Tdo7
SYSCLKP
Tdo2
MADDR [21 ：0]的
Tdo2
BWEN [3 ：0]的
1111
Tdo3
CMD [2： 0] *
NOP
Tdo3
SDCSN [1 ：0]的
11
芯片SEL
Tdo5
BDIRN
Tdo6
BOEN [1 ：0]的
11
BUFF启用
Tdo1
MDATA [31 ：0]的
数据
11
11
写
NOP
BE的
1111
ADDR
SDRAM
样本
写数据
*注： CMD [2：0 ] = { RASN ， CASN ， SDWEN }
图10的存储器和外设总线AC时序波形 - SDRAM写访问
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2004年5月25日
