IRG4BC30W-S
2000
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
C
IES
= C
ge
+ C
气相色谱法，
C
ce
短
C
水库
= C
gc
C
OES
= C
ce
+ C
gc
20
V
CC
= 400V
I
C
= 12A
16
1500
C，电容（pF ）
资本投资者入境计划
1000
12
8
500
卓越中心
CRES
4
0
1
10
100
0
0
10
20
30
40
50
60
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
0.5
总的开关损耗（兆焦耳）
总的开关损耗（兆焦耳）
V
CC
= 480V
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
0.4
I
C
= 12A
10
23
R
G
=欧姆
V
GE
= 15V
V
CC
= 480V
I
C
=
24
A
1
0.3
I
C
=
12
A
I
C
=
6
A
0.2
0.1
0.1
0.0
0
10
20
30
40
50
0.01
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
R
G
R
,
，栅极电阻
（欧姆）
栅极电阻
()
G
T
J
，结温（
°
C )
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
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