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的Geode SC2200
体系结构概述
（续）
表1-2。 SC2200内存控制器寄存器（续）
位
6:4
描述
SODIMM_PG_SZ （ SODIMM页大小 - 银行0和1 ） 。
选择SODIMM的页面大小：
000： 1 KB
001 ： 2 KB
3:0
010 ： 4 KB
011 ： 8 KB
1XX ： 16 KB
未安装SODIMM ： 111
两个存储体0和1必须具有相同的页大小。
RSVD （保留） 。
写为0 。
MC_SYNC_TIM1 （R / W）的
复位值： 2A733225h
GX_BASE+840Ch-840Fh
31
30:28
RSVD （保留） 。
写为0 。
LTMODE （ CAS延迟） 。
CAS等待时间为延迟，在SDRAM时钟周期，一个读命令的登记之间
与第一块输出数据的可用性。此参数显著影响系统的性能。最佳设置
应该被使用。如果一个SODIMM时， BIOS可以查询EEPROM整个ACCESS总线接口，以确定此
价值：
000：保留
001 ：保留
010 ： 2 CLK
011 ： 3 CLK
100:4的CLK
101 ： 5 CLK
110 ： 6 CLK
111 ： 7 CLK
此字段将不会生效，直到SDRAMPRG （位0 MC_MEM_CNTRL1的）转换为0 1 。
27:24
RC （ RFSH到RFSH / ACT命令期间， TRC） 。
SDRAM时钟RFSH和RFSH / ACT之间的最小数量
命令：
0000 ：保留
0001 ： 2 CLK
0010 ： 3 CLK
0011 ： 4 CLK
23:20
0000 ：保留
0001 ： 2 CLK
0010 ： 3 CLK
0011 ： 4 CLK
19
18:16
0100 ： 5 CLK
0101 ： 6 CLK
0110 ： 7 CLK
0111 ： 8 CLK
0100 ： 5 CLK
0101 ： 6 CLK
0110 ： 7 CLK
0111 ： 8 CLK
1000 ： 9 CLK
1001 ： 10 CLK
1010 ： 11 CLK
1011 ： 12 CLK
1000 ： 9 CLK
1001 ： 10 CLK
1010 ： 11 CLK
1011 ： 12 CLK
1100 ： 13 CLK
1101 ： 14 CLK
1110 ： 15 CLK
1111 ： 16 CLK
1100 ： 13 CLK
1101 ： 14 CLK
1110 ： 15 CLK
1111 ： 16 CLK
RAS （ ACT来PRE命令时期， tRAS的） 。
最小数量的ACT和PRE命令之间SDRAM时钟：
RSVD （保留） 。
写为0 。
RP （ PRE到ACT命令期间，激进党） 。
最小数之间的PRE和ACT命令SDRAM时钟：
000：保留
001 ： 1 CLK
010 ： 2 CLK
011 ： 3 CLK
100:4的CLK
101 ： 5 CLK
110 ： 6 CLK
111 ： 7 CLK
15
14:12
RSVD （保留） 。
写为0 。
RCD （延时ACT为READ / WRT命令， tRCD的） 。
ACT之间SDRAM时钟的最小数量
READ / WRT命令。此参数显著影响系统的性能。最佳设置应使用：
000：保留
001 ： 1 CLK
010 ： 2 CLK
011 ： 3 CLK
100:4的CLK
101 ： 5 CLK
110 ： 6 CLK
111 ： 7 CLK
11
10:8
RSVD （保留） 。
写为0 。
RRD （ ACT （ 0 ）作用（ 1 ）命令期间， TRRD ） 。
的ACT和ACT命令之间的SDRAM时钟最小数量
到同一模块组内的两个不同组分的银行。存储器控制器不进行背到背爱科特
瓦泰岛命令两个不同的组成部分银行没有它们之间的读或写命令。因此，本领域
应写为001 。
RSVD （保留） 。
写为0 。
DPL （数据到PRE命令时期， tDPL ） 。
从时间上一次写数据是最小数量的SDRAM时钟
采样到银行进行预充电：
000：保留
001 ： 1 CLK
010 ： 2 CLK
011 ： 3 CLK
100:4的CLK
101 ： 5 CLK
110 ： 6 CLK
111 ： 7 CLK
7
6:4
3:0
注意：
RSVD （保留） 。
离开不变。始终返回101H 。
请参考SDRAM制造商的规范对银行的组件的详细信息。
www.national.com
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修订版3.0
