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的Geode SC2200
体系结构概述
（续）
表1-2。 SC2200内存控制器寄存器
位
描述
MC_MEM_CNTRL1 （R / W）的
复位值： 248C0040h
GX_BASE + 8400H - 8403h
31:30
29
28:27
26
25:24
23:22
21
20:18
MDCTL （ MD [ 63 ： 0 ]驱动强度） 。
11是最强的， 00是最弱的。
RSVD （保留）
写为0 。
MABACTL （ MA [ 12 ： 0]和BA [ 1 ： 0 ]驱动强度） 。
11是最强的， 00是最弱的。
RSVD （保留） 。
写为0 。
MEMCTL （ RASA ＃ ， CASA ＃ ， WEA ＃ ， CS [ 1 ： 0 ] ＃ ， CKEA ， DQM [ 7 ： 0 ]驱动强度） 。
11是最强的， 00是最弱的。
RSVD （保留） 。
写为0 。
RSVD （保留） 。
必须设定为在X总线x_data 0等待状态在读周期 - 用于仅调试。
SDCLKRATE （ SDRAM时钟比率） 。
选择SDRAM的时钟比。
000：保留
001: ÷ 2
010: ÷ 2.5
011 ： 3 ÷ （默认）
100: ÷ 3.5
101: ÷ 4
110: ÷ 4.5
111: ÷ 5
比不采取直至SDCLKSTRT位（该寄存器的位17 ），电压从0到1的效果。
17
SDCLKSTRT （开始SDCLK ） 。
使用新的比例和位移值（在此位稳压的[ 20:18 ]中选择启动操作系统SDCLK
存器） 。
0 ：清除。
1 ：启用。
该位必须为零（写入零）到1 （写入1 ） ，以便开始SDCLK或改变位移值转换。
16:8
7:6
RFSHRATE （刷新间隔） 。
此字段确定刷新之间的乘以64的处理器核心时钟数
循环到DRAM 。默认情况下，刷新间隔为00h 。刷新默认情况下处于关闭状态。
RFSHSTAG （刷新交错） 。
这个字段确定RFSH命令间的时钟数的每一个的
在刷新周期四家银行：
00 ： 0 SDRAM时钟
01 ： 1的SDRAM时钟（默认）
10：2的SDRAM时钟
11：4的SDRAM时钟
令人咋舌的是用来帮助减少刷新过程中的功率峰值爽口的一家银行的时间。如果只安装了一个银行，
此字段必须写成00 。
5
2CLKADDR （两个时钟地址设置） 。
断言的内存地址为一个额外的时钟前CS ＃为有效。
0 ：禁用。
1 ：启用。
这可以被用来补偿地址设置在高频率和/或高载荷。
4
3
RFSHTST （测试刷新） 。
该位设置为高电平时，产生一个刷新请求。这个位仅用于测试目的。
XBUSARB （ X总线轮循） 。
当启用时，处理器，图形管线和非关键显示控制器请求
仲裁是在相同的优先级。当禁用，处理器请求仲裁以更高的优先级。革命制度党高
ority显示控制器的请求总是具有最高优先级仲裁。
0 ：启用。
1 ：禁用。
2
SMM_MAP （ SMM区映射） 。
映射在GX_BASE + 400000 SMM的存储器区域的物理地址A0000到
BFFFF在SDRAM中。
0 ：禁用。
1 ：启用。
1
0
RSVD （保留） 。
写为0 。
SDRAMPRG （程序SDRAM ） 。
当此位被置位，内存控制器将使用编程SDRAM MRS寄存器
LTMODE在MC_SYNC_TIM1 。
该位必须为零（写入零）到1 （写入1 ），以进行编程的SDRAM设备转换。
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