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4K字节边界复位后， 128字节的RAM是位于$在0300至$ 037F 。重映是AC-
通过写适当的值到INIT寄存器complished 。请参考寄存器和RAM映射
实施例以下的存储器映射图。
当电源从MCU移除， RAM的内容可使用本MODB / V被保留
STBY
引脚。
电源（ 2.0伏-V
DD
）适用于该引脚保护所有768字节的RAM 。
INIT
- 内存和寄存器映射
第7位
RAM3
RESET ：
0
6
RAM2
0
5
RAM1
0
4
RAM0
0
3
REG3
0
2
REG2
0
1
REG1
0
$003D
位0
REG0
0
可以在第一个64个周期写入一次复位在正常模式或在特殊模式下的任何时间。
RAM的[3：0 ] - 内部RAM映射位置
这些位决定了高四位RAM地址。在复位RAM映射到0000美元。去甲
马利的RAM将在$ 0000-映射$ 02FF （ 768字节） 。然而，寄存器块重叠
第128字节的RAM ，导致它们被重新映射到$ 0300- $ 037F 。请参阅
图4
和
图 -
URE 5 。
REG [ 3 ： 0 ] -128字节寄存器块地图位置
这些位决定了高四位的寄存器块的起始地址。在复位寄存器
映射至$ 0000与重叠第一128字节RAM ，导致它们被重新映射到$ 0300-
$ 037F 。请参阅
图4
和
图5中。
3.3 ROM / EPROM
标准器件（在一个非窗口包OTPROM ）的EPROM中的24千字节。自定义ROM
器件具有24 KB的ROM数组，它是面具在工厂客户要求的规格进行编程。
该MC68HC11K0 ， MC68HC11K1 ， MC68L11K0和MC68L11K1无ROM / EPROM 。请参阅
该
订购信息表。
在CONFIG的ROMAD和罗蒙控制位控制的位置和状态
ROM / EPROM中的存储器映射。该ROM / EPROM可以被映射为$ 2000- $ 7FFF或$ A000-
$ FFFF 。如果它被映射到$ A000- $ FFFF矢量空间是包括在内。在单芯片模式的ROM /
EPROM被强制$ A000- $ FFFF （ ROMAD = 1）和使能（ ROMON = 1） ，而不管该值的
在CONFIG寄存器。这确保了将有ROM / EPROM中的向量空间。在特殊
测试模式中， ROMON位被强制为零，使得ROM / EPROM中，从存储器映射中移除。
请参阅
图4中。
EPROM编程需要外接12.25伏的标称电压（V
PPE
），必须是AP-
合股的XIRQ / V
PPE
引脚。有三种方法可用于编程和验证EPROM / OTPROM 。
正常的EPROM / OTPROM编程可以实现在任何操作模式。正常的亲
编程是使用EPROM / OTPROM编程寄存器（ EPROG ）来完成的。该EPROG
寄存器使能的EPROM编程电压，控制数据的锁存进行编程，并
选择单个或多个字节编程。
编程的EPROM ，完成使用EPROG寄存器以下步骤：
1.设置EPROG寄存器中的ELAT位。因为它否定了在PPROG EELAT位必须清零
功能ELAT位。
2.写数据所需的地址。
3.打开编程电压的EPROM阵列通过设置EPROG寄存器中的EPGM位。
4.延迟2毫秒以上，适当。
5.清除在EPROG的EPGM位关闭编程电压。
摩托罗拉
18
M68HC11 K系列
MC6HC11KTS/D
