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6.清除EPROG寄存器重新配置EPROM的地址和数据总线进行正常OP-
累加器。
在EPROM仿真模式（PROG模式） ，对EPROM / OTPROM被编程为一个独立的
EPROM通过调整单片机足迹的27C256型EPROM中，并且使用适当的EPROM
程序员。把MCU在PROG模式，拉动下面的引脚为低电平： MODA / LIR ， MODB / V
STBY
,
复位，PA [2：0 ] 。请参阅
图6 。
在第三种方法中，对EPROM是通过软件而在专用的测试或自举程序
模式。用户开发的软件可以通过SCI被上传或ROM常驻EPROM的亲
编程工具可以使用。要使用驻留程序，启动加载一个三字节的程序组成的
单跳转指令$ BF00 。 $ BF00是其居民的EPROM编程util-的起始地址
性。该实用程序设置X和Y变址寄存器为默认值，然后接收节目
从外部主机和方案成EPROM的数据。在九值决定延迟编程
时间。在IY的值是一个指针，指向EPROM的首地址进行编程（默认值= $ A000 ） 。
当应用程序已准备好接收编程数据时，它发送该主机的$ FF字符。
然后，它会等待。当主机看到的$ FF，字符，该EPROM编程数据被发送时，启动
用的EPROM阵列中的第一个位置。之后被编程的最后一个字节被发送和它对应
应的检验数据返回，编程操作通过复位MCU终止。
尽管外部12.25 V编程电压必须被施加到XIRQ / v
PPE
在销
EPROM编程，它应该是等于V
DD
之前验证只是编程的数据。它
应等于V
DD
在正常操作期间也。该XIRQ / V
PPE
引脚具有高电压检测电路
抑制所述ELAT位的断言时的编程电压是在低的水平。
小心
如果MCU使用在任何操作模式，而高电压（ 12.25 V标称值）为
本上XIRQ / v
PPE
销，该IRQ / CE引脚必须被拉高，以避免邮轮业咨询委员会
牙科编程或EPROM内容腐败。节目的后
EPROM的位置， IRQ引脚也必须将地址和数据之前拉高
改变编程的下一个位置。
EPROG
- EPROM编程控制
第7位
MBE
RESET ：
0
6
—
0
5
ELAT
0
4
EXCOL
0
3
EXROW
0
2
—
0
1
—
0
$002B
位0
EPGM
0
MBE - 多字节编程使能
设置为正常的编程0 = EPROM阵列
1 =程序的两个字节具有相同的数据
当多个字节编程启用，地址位5被认为是一个不关心这样的字节
地址位5 = 0和地址位5 = 1都得到编程。 MBE法可以读取在任何模式下，总是
在正常模式下的读数为零。 MBE法只能写在特殊模式。
第6位 - 未实现
总是读零
ELAT -EPROM锁存控制
ELAT可以读取的任何时间。 ELAT可以写成任何时候除了当EPGM = 1，则写入到
ELAT将被禁用。当ELAT = 1 ，写入EPROM事业地址和数据锁存和
EPROM的不能被读取。
0 = EPROM的地址和数据总线CON组fi gured为正常读取
1 = EPROM的地址和数据总线配置为编程
M68HC11 K系列
MC6HC11KTS/D
摩托罗拉
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