飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
BUK436W-200A/B
概述
N沟道增强模式
在场效应功率晶体管
塑料封套。
该装置适用于在使用中
开关电源
（SMPS） ，电机控制，焊接
的DC / DC和AC / DC转换器，以及
在通用开关
应用程序。
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
R
DS （ ON）
参数
BUK436
漏源电压
漏电流（ DC ）
总功耗
漏极 - 源极导通状态
阻力
马克斯。
-200A
200
19
125
0.16
马克斯。
-200B
200
17
125
0.2
单位
V
A
W
钉扎 - SOT429 （ TO247 ）
针
1
2
3
TAB
门
漏
来源
漏
描述
引脚配置
符号
d
g
1
2
3
s
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
DS
V
DGR
±V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲峰值）
总功耗
储存温度
结温
条件
-
R
GS
= 20 k
-
T
mb
= 25 C
T
mb
= 100 C
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
-
-
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
-
-200A
19
12
76
125
150
150
马克斯。
200
200
30
-200B
17
11
68
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
C
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
热阻结到
安装底座
热阻结到
环境
条件
分钟。
-
-
典型值。
-
45
马克斯。
1.0
-
单位
K / W
K / W
1997年7月
1
启1.000
