GBU8A - GBU8K
GBU8A - GBU8K
0.125 X 45
O
（ 3.2 ）典型值
特点
浪涌过载额定值：200安培峰值。
可靠的低造价，利用
模压塑料技术。
理想的印刷电路板。
0.740 (18.8)
0.720 (18.3)
0.075 R
(1.9)
0.880 (22.3)
0.860 (21.8)
0.160 (4.1)
0.140 (3.5)
0.020 R
典型值
0.310 (7.9)
0.290 (7.4)
0.085 (2.16)
0.065 (1.65)
+
+
+
0.710 (18.0)
0.690 (17.5)
0.100 (2.54)
0.085 (2.16)
0.080 (2.03)
0.065 (1.65)
~
~
0.080 (2.03)
0.060 (1.52)
GBU
0.050 (1.27)
0.040 (1.02)
0.050 (1.3)
0.040 (1.0)
0.210 (5.3)
0.190 (4.8)
8.0安培桥式整流器
绝对最大额定值*
符号
I
O
i
F（浪涌）
P
D
R
qJA
T
英镑
T
J
平均整流电流
T
A
= 25 ° C除非另有说明
外型尺寸是：
英寸（毫米）
参数
@ T
A
= 100°C
@ T
A
= 45°C
价值
8.0
6.0
200
6.9
55
18
-55到+150
-55到+150
单位
A
A
A
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境， **每腿
存储特mperature范围
工作结tem温度
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
**
设备安装在PCB与0.5× 0.5" （ 12 ×12毫米）。
电气特性
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
设备
8A
8B
100
70
100
8D
200
140
200
5.0
500
1.0
166
8G
400
280
400
8J
600
420
600
8K
800
560
800
50
35
50
单位
V
V
V
mA
mA
V
几秒钟之内
2
反向重复峰值电压
最大RMS输入电压
DC反向电压（额定V
R
)
最大反向漏，每个元素
@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
最大正向电压降，每个元素
@ 8.0 A
2
I T额定值融合
吨< 8.35毫秒
1998
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
GBU8A - GBU8M ，版本A
