飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2727AW
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
结到安装基座
结到环境
条件
-
在自由空气
典型值。
-
45
马克斯。
1.0
-
单位
K / W
K / W
静态特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
I
CES
I
CES
I
EBO
BV
EBO
V
CEOsust
V
CESAT
V
BESAT
h
FE
h
FE
参数
集电极截止电流
2
发射极截止电流
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
条件
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
;
T
j
= 125 C
V
EB
= 7.5 V ;我
C
= 0 A
I
B
= 1毫安
I
B
= 0 ;我
C
= 100毫安;
L = 25毫亨
I
C
= 5.0 A;我
B
= 0.91 A
I
C
= 5.0 A;我
B
= 0.91 A
I
C
= 0.1 A; V
CE
= 5 V
I
C
= 5 A; V
CE
= 1 V
分钟。
-
-
-
7.5
825
-
0.78
12
5.5
典型值。
-
-
-
13.5
-
-
0.86
22
8
马克斯。
1.0
2.0
1.0
-
-
1.0
0.95
35
11
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
动态特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
参数
开关时间（ 64 kHz的行
偏转电路）
t
s
t
f
关闭存储时间
关断下降时间
条件
I
CM
= 5.0 A; L
C
= 260
H;
C
fb
= 4.8 nF的;
V
CC
= 180 V ;我
B（完）
= 0.9 A;
L
B
= 0.6
H;
-V
BB
= 2 V;
（ -dI
B
/ DT = 3.33 A / μs）内
典型值。
马克斯。
单位
2.2
TBF
TBF
TBF
s
s
IC / MA
+ 50v
100-200R
250
横
示波器
垂直
100R
6V
30-60赫兹
1R
200
100
0
VCE / V
民
VCEOsust
图1 。为V测试电路
CEOsust
.
图2 。示波器显示V
CEOsust
.
2
测量正弦半波电压（波形记录器） 。
1997年9月
2
启1.100
