飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2508A
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
VBESAT / V
TJ = 25℃
TJ = 125℃
BU2508A
IC 。
6A
4.5A
3A
2A
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
TS ， TF /美
BU2508A
ts
IC =
4.5A
3.5A
tf
0.1
1
IB / A
10
0
1
2
IB / A
3
4
图9 。典型的基极 - 发射极饱和电压。
V
BE
SAT = F （I
B
） ;参数I
C
VCESAT / V
BU2508A
TJ = 25℃
TJ = 125℃
图12 。典型的集热器存储和下降时间。
TS = F（我
B
） ; TF = F（我
B
） ;参数I
C
; T
j
= 85℃ ; F = 16千赫
第Z / （K / W）
10
10
6A
4.5A
1
3A
IC=2A
0.1
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
D=0
0.1
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
T
0.1
1
IB / A
10
0.01
1E-06
1E-04
T / S
1E-02
1E+00
图10 。典型的集电极 - 发射极饱和电压。
V
CE
SAT = F （I
B
） ;参数I
C
EOFF / UJ
BU2508A
图13 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
PD ％
归一化功率降额
1000
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
IC = 4.5A
3.5A
100
10
0.1
1
IB / A
10
0
0
20
40
60
80
100
TMB / C
120
140
图11 。典型的关断损耗。牛逼
j
= 85C
EOFF = F （I
B
） ;参数I
C
; F = 16千赫
图14 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
25℃
= F（T
mb
)
1995年11月
4
启1.300
