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BTS 733 L1
参数和条件,
每两个信道的
在T
j
= 25 °C,
V
bb
= 12伏,除非另有说明
符号
典型值
最大
单位
输入和状态反馈
13
)
输入阻抗
(见电路第8页)
R
I
T
j
=-40..+150°C:
V
IN( T + )
V
IN( T-)
V
IN( T)
I
中(关闭)
2.5
1.7
1.5
--
1
20
100
--
3.5
--
--
0.5
--
50
520
250
6
3.3
--
--
50
90
1000
600
k
V
V
V
A
A
s
s
输入端导通阈值电压
输入关断阈值电压
T
j
=-40..+150°C:
输入阈值迟滞
V
IN
= 0.4 V:
关机状态下输入电流
T
j
=-40..+150°C:
V
IN
= 5 V:
在状态输入电流
T
j
=-40..+150°C:
延迟时间的状态与开关打开后负荷
关闭
T
j
=-40..+150°C:
(见时序图,第12页
),
状态积极投入斜坡后失效
T
j
=-40..+150°C:
(开路)
状态输出(漏极开路)
齐纳电压的限制
T
j
=-40...+150°C,
I
ST
= 1.6毫安:
意法半导体的低电压
T
j
=-40...+25°C,
I
ST
= 1.6毫安:
T
j
= +150°C,
I
ST
= 1.6毫安:
I
IN(上)
t
D( ST OL4 )
t
D( ST)的
V
意法半导体(高)
V
意法半导体(低)
5.4
--
--
6.1
--
--
--
0.4
0.6
V
13)
如果接地电阻R
GND
使用时,加在这些电阻上的电压降。
半导体集团
6

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