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Am29LV004B
4兆位（ 512K的×8位）
CMOS 3.0伏只引导扇区闪存
特色鲜明
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单电源工作
- 2.7到3.6伏读取和写入操作
电池供电应用
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在0.32微米制程技术制造的
- 兼容0.5微米Am29LV004设备
s
高性能
- 存取时间快70纳秒
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超低功耗（在典型值
5兆赫）
- 200 nA的自动睡眠模式电流
- 200 nA的待机模式电流
- 7毫安读出电流
- 15毫安编程/擦除电流
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灵活的部门架构
- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而
7 64 KB的行业
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能：
锁定一个部门的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门
扇区可被锁定在系统或经由
编程设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
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解锁绕道程序命令
降低了总体规划的时候
发行多个程序的命令序列
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顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
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嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
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每个部门最少百万写周期保证
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20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
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封装选项
- 40针TSOP
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与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
s
数据＃查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除操作完成
s
就绪/忙＃引脚（ RY / BY ＃ ）
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，
或程序数据，一个扇区是不是
擦除，然后恢复擦除操作
s
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版＃
21522
启：
D
Amendment/+1
发行日期：
二零零零年十一月十三日
