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初步
修订概要
版本B
全球
加入-55和-60速度选项，删除-65速度
选项。从高级更改的数据表名称
信息初步。
连接图
在所有的包更正引脚：删除A18 。
表1 ，设备总线操作
修订后的指示输入两个CE＃和RESET ＃
所需的待机模式。
扇区保护/ unprotection的
纠正案文指出，这些功能只能
使用编程设备来实现。
程序命令序列
改为显示数据＃投票有效时间应为2μs
如果该扇区光谱的程序指令序列后
后指定被保护。
扇区擦除命令序列和DQ3 ：扇区
擦除定时器
纠正扇区擦除超时设置为50微秒。
擦除挂起命令
改变以指示该设备暂停
后上升的擦除操作最多20微秒
的WE＃边沿。
DC特性
改为显示V
ID
最小值和最大值是11.5
12.5 V，一起一伏
CC
5.0 V.测试条件我修
点亮
50 μA 。加我
CC4
规范。典型的添加
值TTL / NMOS表。修订后的CMOS典型
待机电流（I
CC3
).
图14 ：芯片/扇区擦除操作时序;
图19 ：备用CE ＃控制的写
操作时序
在地址和数据校正的十六进制值
波形。
AC特性，擦除/编程操作
纠正吨
AH
规范-90速度选择45
NS 。
擦除和编程性能
正确的单词和芯片编程时间。
商标
版权所有1998 Advanced Micro Devices公司， Inc.保留所有权利。
AMD ，AMD标识及其组合是Advanced Micro Devices ，Inc.的注册商标。
ExpressFlash 是Advanced Micro Devices公司的商标。
本出版物中使用的产品名称仅用于识别目的，可能是其各自公司的商标。
版本C
全球
格式化为与其他5.0伏的唯一的数据一致性
床单。
AC特性
改变的吨
DF
和T
FLQZ
到15纳秒的速度-55选项。
版本C + 1
表2 ，顶部引导块扇区地址表
纠正扇区大小为SA10 16千字节/ 8
K字。
直流特性-TTL / NMOS兼容
删除注4 。
版本C + 2
特色鲜明
变更后的最低100K写入/擦除周期瓜拉尼
开球100万。
AC特性
字/字节的配置：
改变的吨
FHQV
规范
55 ns的设备。
擦除/编程操作：
改变的吨
WHWH1
字
模式规范到12微秒。更正的说明为参考
ENCE在t
WHWH1
和T
WHWH2
。这些参数是
100 ％测试。纠正T的注释引用
VCS
.
这个参数不是100 ％测试。
改变的吨
DS
和T
CP
规格为55 ns的设备。
备用CE ＃控制的擦除/编程操作：
改变的吨
WHWH1
字模式规范到12微秒。
纠正在t时的注意事项参考
WHWH1
和T
WHWH2
.
这些参数都经过100 ％测试。
改变的吨
DS
和T
CP
规格为55 ns的设备。
临时机构撤消表
在t补充说明参考
VIDR
。该参数不
100 ％测试。
擦除和编程性能
变化最小的100K计划和擦除周期
保证1,000,000。
Am29F400B
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