bq2204A
X4非易失SRAM控制器单元
特点
概述
该CMOS bq2204A SRAM非
挥发性控制器单元提供所有
用于将必需的功能
成4组标准CMOS的
SRAM成非易失性读/写
内存。
精密比较器监视5V
V
CC
输入超出容限的条件
化。当外的容差进行检测，
这四个条件芯片使能输出
被迫不活动的写保护达
四家银行的SRAM。
电源监控和切换
写保护控制
2输入的解码器，用于对机控制
4银行的SRAM
3伏原代细胞输入
L E S S小吨公顷 10N s驰P-E nable
传播延迟
5 ％或10 ％电源供电
引脚连接
VOUT
BC2
NC
A
B
NC
THS
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
3伏电池备份应用
系统蒸发散
在电源故障期间，外部
SRAM是从V切换
CC
供应两个3V备用1支持
层数。在随后的加电时，该
SRAM是写保护，直到
电源的有效条件存在。
上电过程中有效的操作，
二输入端的解码器透明地SE-
脉冲编码成4组中的一
SRAM 。
引脚名称
V
OUT
VCC
BC1
CE
CECON1
CECON2
CECON3
CECON4
NC
电源输出
3伏的主备份电池输入
阈值的选择输入
芯片使能有效低输入
空调的芯片使能输出
解码器输入
无连接
+5伏电源输入
地
BC
1
？ BC
2
THS
CE
CE
CON1
–
CE
CON4
A-B
NC
V
CC
V
SS
16引脚窄DIP或SOIC
PN220401.eps
功能说明
最多四家银行的CMOS静态RAM可以由电池
用V支持
OUT
和调节的芯片使能输出
把针从bq2204A 。由于V
CC
在上下剧烈变化
停电时，对调节后的芯片使能输出
CE
CON1
通过CE认证
CON4
被迫不活动independ-
耳鼻喉科芯片使能输入的CE 。
本次活动无条件写保护外部
SRAM为V
CC
低于超出容限的门槛
V
PFD
. V
PFD
选择由阈值选择输入，
THS 。如果THS被连接到V
SS
，掉电检测时
在4.62V典型的5 ％电源供电。
1992年12月B
如果THS被连接到V
CC
，掉电检测发生在
4.37V典型的10 ％电源供电。对THS销
必须连接到V
SS
或V
CC
正确操作。
如果存储器访问是在过程中的任何四个外部的
SRAM的过程中银行掉电检测，该内存
周期继续完成之前的记忆有写
受保护的。如果存储器周期内没有终止
时间T
WPT
，所有四个芯片使能输出无条件
驱动为高电平，写保护控制的SRAM 。
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