飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 9 GHz宽带晶体管
BFG505 ; BFG505 / X
极限值
按照绝对最大系统（IEC 134）。
符号
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
记
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
热特性
符号
R
第j个-S
记
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
参数
热阻结到焊接点
注1
条件
价值
290
单位
K / W
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
总功耗
存储温度范围
结温
T
s
≤
130
°C;
见图2 ;注1
R
BE
= 0
集电极开路
条件
发射极开路
65
分钟。
马克斯。
20
15
2.5
18
150
150
175
V
V
V
mA
mW
°C
°C
单位
手册， halfpage
200
MRA638-1
P合计
（ mW）的
150
100
50
0
0
50
100
150
TS （ ° C）
200
图2功率降额曲线。
1998年10月2日
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