摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过BF493S / D
高压晶体管
PNP硅
集热器
3
2
BASE
1
辐射源
BF493S
1
2
3
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
价值
–350
–350
–6.0
–500
625
5.0
1.5
12
- 55 + 150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
瓦
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
CASE 29-04 ，风格1
TO-92 （TO- 226AA ）
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
（ IC = -1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = -100
m
的adc ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = -100
m
ADC ， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = -250伏）
发射Cuto FF电流
（ VEB = -6.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = -250伏， IE = 0 ， TA = 25 ° C）
（ VCB = -250伏， IE = 0 ， TA = 100 ° C）
1.脉冲测试：脉冲宽度
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
冰
IEBO
ICBO
—
—
–0.005
–1.0
–350
–350
–6.0
—
—
—
—
—
–10
0.1
VDC
VDC
VDC
NADC
m
ADC
m
ADC
v
300
m
S;占空比
v
2.0%.
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
