BCV 62
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
晶体管T2的直流特性
基极 - 发射极正向电压的
I
E
= 10
A
I
E
= 250毫安
晶体管T1和T2晶体管的匹配
at
I
E2
= 0.5 mA和
V
CE1
= 5 V
T
A
= 25 C
T
A
= 150 C
晶体管T1的热耦合和
T1:
V
CE
= 5 V
晶体管T2
1)
对于热稳定性最大电流
I
C1
AC特性晶体管T1
跃迁频率
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
I
C
=
i
C
= 0,
f
= 1兆赫
输入电容
V
EB
= 0.5 V,
I
C
=
i
C
= 0,
f
= 1兆赫
噪声系数
I
C
= 200
A,
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2 k
f
= 1千赫，
B
= 200赫兹
输入阻抗
I
C
= 1毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 1千赫
开路反向电压传输比
I
C
= 1毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 1千赫
短路正向电流传输比
I
C
= 1毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 1千赫
开路输出导纳
I
C
= 1毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 1千赫
f
T
C
cb
C
IBO
F
–
–
–
–
250
3
8
2
–
–
–
–
dB
兆赫
pF
V
BES
0.4
–
–
–
–
1.8
V
值
典型值。
马克斯。
单位
I
C1
/
I
C2
I
C1
/
I
C2
I
E2
0.7
0.7
–
–
–
5
1.3
1.3
–
mA
h
11e
h
12e
h
21e
h
22e
–
–
100
–
4.5
2
–
30
–
–
900
–
k
10
– 4
–
S
1)
没有发射极电阻。设备安装在氧化铝15毫米
×
16.5 mm
×
0.7 mm.
半导体集团
3
