飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用双晶体管
BCV62
符号
参数
条件
分钟。
典型值。马克斯。单位
晶体管TR1和TR2
I
C1
------
-
I
E2
I
E2
笔记
1.降低
1.7
毫伏/ ℃，随着温度的升高。
2.降低
2
毫伏/ ℃，随着温度的升高。
3.设备，没有发射极电阻器，安装在一FR4印刷电路板。
晶体管I电流匹配
E2
= 0.5毫安; V
CE1
=
5
V ;牛逼
AMB
≤
25
°C
TR1和TR2
I
E2
= 0.5毫安; V
CE1
=
5
V ;牛逼
AMB
≤
150
°C
发射极电流的热
稳定
I
C1
V
CE1
=
5
V ;注3 ; （见图2）
0.7
0.7
1.3
1.3
5
mA
手册， halfpage
手册， halfpage
A
IC1
2
TR1
3
VCO
4
VCO
1
TR2
IE2 =常数
V
CE1
A
IC1
2
TR1
3
4
RE
MBK080
1
TR2
IE2 =常数
V
CE1
IE2
A
MBK081
RE
VCE1 = -5V ;装置中，没有发射极电阻器，其安装在一个
FR4印刷电路板。
2
电压降联系人： V
CO
＆ LT ;
-- U
T
= 16毫伏。
- ^
3
图2测试电路的电流匹配。
图3 BCV62与发射极电阻。
1999年4月08
4
