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ADuC841/ADuC842/ADuC843
存储器组织
该ADuC841 / ADuC842 / ADuC843分别包含四个不同的
内存块:
高达62 KB片上闪存/ EE程序存储器
4千字节的片内Flash / EE数据存储器
256字节的通用RAM
2 KB的内部的XRAM
低128字节的内部数据存储器映射为
在图23中所示的最低的32个字节被划分成四个
8个寄存器银行地址为R0到R7 。接下来的16个字节
( 128位) ,位置的20H 2FH上面的寄存器组,形式
直接寻址位的位置,在比特的地址块
00H到7FH 。栈可以在内部被定位在任何地方
存储器地址空间,且堆栈深度可以扩展
到2048字节。
复位初始化堆栈指针的位置07H和增量
加载堆栈从位置开始前一次ments它
08H ,这也是寄存器组1中的第一寄存器(R 0) 。因此,
如果用户需要使用一个以上的寄存器组,堆栈
指针应被初始化为RAM不用于一个区域
数据的存储。
7FH
通用
区域
30H
2FH
银行
通过
在PSW BITS
11
18H
17H
10
10H
0FH
01
08H
00
00H
03260-0-021
闪速/电擦除程序存储器
该部分62 KB的闪存/ EE程序提供了MEM-
储器来运行的用户代码。用户可以从这个内部运行代码
记忆而已。不像ADuC812的,其中的代码执行可以
从内部代码空间与外部空间的代码溢出
一旦PC大于1FFFH ,该部分不
支持翻车的F7FFH在内部代码空间
F800H外部代码空间。相反,之间的2048个字节
F800H和FFFFH出现用户代码为NOP指令。
这个内部代码空间可以通过UART下载
串行端口,而该设备在电路内。 56千字节的
程序存储器可以在运行时进行重新编程;从而
码空间可在现场通过使用用户进行升级
定义的协议,或者它可被用作一个数据存储器。这是
在Flash / EE存储器部分更详细地讨论。
对于32千字节的内存模式,最高8K字节的功能
在ULOAD空间;这是在Flash / EE存储器解释
部分。
位寻址
(位地址)
20H
1FH
八种四家银行
注册
R0至R7
复位值
堆栈指针
闪速/电擦除数据存储器
提供给用户4 KB闪存/ EE数据存储器,并
可以通过一组控制寄存器间接访问
映射到特殊功能寄存器( SFR )区。访问
的闪速/电擦除数据存储器进行了详细的闪速/电擦除讨论
内存部分。
07H
图23.低128字节的内部数据存储器
本部分包含2048个字节的内部XRAM的, 1792字节
它可以被配置为一个扩展的11位堆栈指针。
默认情况下,堆栈操作完全一样,它的卷8052
在从FFH到00H中的通用RAM 。对
件,但是,它是可能的(通过设置CFG841.7或CFG842.7 )
以使11位扩展堆栈指针。在这种情况下,该
叠翻转从FFH的RAM以0100H在XRAM 。
11位堆栈指针是在SP和SPH的SFR可见。该
SP的SFR位于81H与标准8052的SPH的SFR
位于B7H 。这个SFR的3个LSB包含3个额外的位
要8位堆栈指针扩展到11位的堆栈
指针。
通用RAM
通用RAM被分为两个独立的
回忆:上部和下部128字节的RAM。该
低128字节的RAM可以通过直接访问或
间接寻址。高128字节的RAM可
只能通过间接寻址,因为它共享访问
相同的地址空间SFR空间,可接
只能通过直接寻址。
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