BC 856W ... BC 860W
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安
BC 856W
BC 857W ， 860W BC
BC 858W ， 859W BC
V
(BR)CE0
65
45
30
80
50
30
80
50
30
V
(BR)EB0
I
CB0
–
–
h
FE
–
–
–
125
220
420
V
CESAT
–
–
V
BESAT
–
–
V
BE（上）
600
–
650
–
750
820
700
850
–
–
75
250
300
650
140
250
480
180
290
520
–
–
–
250
475
800
mV
–
–
15
5
nA
A
–
5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
值
典型值。
马克斯。
单位
集电极 - 基极击穿电压
V
(BR)CB0
I
C
= 10
A
BC 856W
BC 857W ， 860W BC
BC 858W ， 859W BC
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10
A,
V
BE
= 0
BC 856W
BC 857W ， 860W BC
BC 858W ， 859W BC
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1
A
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V
V
CB
= 30 V,
T
A
= 150 C
直流电流增益
I
C
= 10
A,
V
CE
= 5 V
公元前856 AW ...公元前859 AW
公元前856 BW ......公元前860 BW
公元前857 CW ......公元前860 CW
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V
公元前856 AW ...公元前859 AW
公元前856 BW ......公元前860 BW
公元前857 CW ......公元前860 CW
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，
I
B
= 5毫安
基射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，
I
B
= 5毫安
基射极电压
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V
1)
脉冲
V
（ BR ） CES
测试：
t
≤
300
s,
D
= 2 %.
半导体集团
3
