公元前856 ...公元前860
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
输出电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
输入电容
V
CB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
短路输入阻抗
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前856 ...公元前859一
公元前856 B ...公元前860 B
公元前857 ...公元前860
开路反向电压传输比
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前856 ...公元前859一
公元前856 B ...公元前860 B
公元前857 ...公元前860
短路正向电流传输比
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前856 ...公元前859一
公元前856 B ...公元前860 B
公元前857 ...公元前860
开路输出导纳
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前856 ...公元前859一
公元前856 B ...公元前860 B
公元前857 ...公元前860
噪声系数
I
C
= 0.2毫安，
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2 k
f
= 30 Hz的... 15千赫
公元前859
公元前860
公元前859
f
= 1千赫，
f
= 200赫兹
公元前860
等效噪声电压
I
C
= 0.2毫安，
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2 k
f
= 10赫兹... 50赫兹
公元前860
半导体集团
4
值
典型值。
马克斯。
单位
f
T
C
敖包
C
IBO
h
11e
–
–
–
250
3
8
–
–
–
兆赫
pF
k
–
–
–
2.7
4.5
8.7
–
–
–
10
– 4
–
–
–
1.5
2.0
3.0
–
–
–
–
–
–
–
200
330
600
–
–
–
S
h
12e
h
21e
h
22e
–
–
–
F
–
–
–
–
V
n
–
1.2
1.0
1.0
1.0
–
4
3
4
4
0.110
18
30
60
–
–
–
dB
V
