飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
E
= 0; V
CB
= 30 V
参数
从结点到环境的热阻
BC635 ; BC637 ; BC639
条件
注1
价值
150
单位
K / W
分钟。
40
63
25
63
100
马克斯。
100
10
100
250
160
250
500
1
1.6
单位
nA
A
nA
I
E
= 0; V
CB
= 30 V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
V
CE
= 2 V ;见图2
I
C
= 5毫安
I
C
= 150毫安
I
C
= 500毫安
直流电流增益
BC639-10
BC635-16 ; BC637-16 ; BC639-16
V
CESAT
V
BE
f
T
h
FE1
-----------
h
FE2
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
的直流电流增益比
互补对
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安
I
C
= 500毫安; V
CE
= 2 V
I
C
= 50毫安; V
CE
= 5 V ; F = 100 MHz的
I
C
= 150毫安;
V
CE
= 2 V
I
C
= 150毫安; V
CE
= 2 V ;见图2
100
mV
V
兆赫
1999年04月23
3
