位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1357页 > AAT3680IKS-4.1-T1 > AAT3680IKS-4.1-T1 PDF资料 > AAT3680IKS-4.1-T1 PDF资料3第10页
锂离子电池线性充电控制器
应用信息
选择外部设备传递
（ PNP或PMOS ）
该AAT3680是设计无论是工作
PNP型晶体管或P沟道功率MOSFET。
选择一个或其他需要在看
设计权衡包括性能与成本
问题。请参考下面的设计指南
选择合适的设备：
PNP晶体管：
在这个设计示例中，我们将使用以下
条件： V
P
= 5V （含10 ％的电源容限） ，
I
CHARGE （ REG ）
= 600毫安， 4.2V的单节锂离子电池
包。 V
P
是输入电压的AAT3680 ，并
I
CHARGE （ REG ）
是所期望的快速充电电流。
1.第一个步骤是确定最大
功耗（P
D
）中的导通晶体管。最差
情况是，当输入电压是最高的，并
电池电压在为快时的最低
电荷（这被称为V
民
，标称3.1V
当从涓流电流的AAT3680-4.2转换
充到恒流模式）。在这个等式
V
CS
是R两端的电压
SENSE
.
P
D
= (V
P（ MAX）的
- V
CS
- V
民
) · I
CHARGE （ REG ）
P
D
= （ 5.5V - 0.1V - 3.1V ） · 600毫安
P
D
= 1.38W
2.下一步是确定哪些尺寸的封装
是需要保持低于结温其
额定值时，T
J（下最大）
。使用该值，并且马克西
该系统牛逼里面的妈妈环境温度
A（最大值）
,
计算热阻R
θJA
要求：
R
θJA
=
R
θJA
=
(T
J（下最大）
- T
A（最大值）
)
P
D
(150 - 40)
1.38
3.选择的集电极 - 发射极（Ⅴ
CE
）额定电压
比输入电压更大。在本实施例中，V
P
是5.0V ，所以15V器件是可以接受的。
4.选择与集电极电流额定值晶体管
大于设定的至少50％的
I
CHARGE （ REG ）
值。在这个例子中，我们将选择
一个设备与至少900毫安评级。
5.计算所需的电流增益（ β或h
FE
):
β
民
=
β
民
=
I
C（最大值）
I
B（分钟）
0.60
0.02
AAT3680
β
民
= 30
在那里我
C（最大值）
是集电极电流（这是
一样的我
CHARGE （ REG ）
） ，而我
B（分钟）
是最小
在电气所示的基极电流驱动器的数量
特点我
SINK
.
重要注意事项：
该电流
租金收益（ β或h
FE
）可以变化的3倍以上温
perature和显著脱落具有增加
集电极电流。关键是要选择一个晶体管
同
β,
在全电流和最低温度，
大于
β
民
上面计算。
总之，选择PNP晶体管，收视率
V
CE
≥
15V ，R
θJA
≤
80℃/ W，余
C
≥
900mA,
β
民
≥
30
一个SOT223 （或更好的导热）封装。
P沟道功率MOSFET ：
在此设计示例中，如图5中所示，我们
将使用以下条件： V
P
= 5V （用10％的
电源容限） ，我
CHARGE （ REG ）
= 750毫安， 0.4V
肖特基二极管， 4.2V的单节锂离子电池组。
V
P
是输入电压的AAT3680 ，并
I
CHARGE （ REG ）
是所期望的快速充电电流。
1.第一个步骤是确定最大
功耗（P
D
）中的导通晶体管。最差
情况是，当输入电压是最高的，并
电池电压在为快时的最低
电荷（这被称为V
民
，标称3.1V
当从涓流电流的AAT3680-4.2转换
充到恒流模式）。在这个等式
VCS是R两端的电压
SENSE
和V
D
为
两端的电压反向电流阻断二极管。
请参见下面的标题
肖特基二极管
为
进一步的细节。省略了V值
D
在方程
下面和灰如果不使用二极管。
R
θJA
= 80 ° C / W
建议选择的软件包与低级
R
θJA
比上述计算的次数。一个SOT223
包将是一个可以接受的选择，因为它有一个
R
θΑ
62.5 ° C / W当安装到与阿德在PCB
充分的尺寸的铜焊盘焊接到散热片。
10
3680.2003.4.0.91
