锂离子电池线性充电控制器
P
D
= (V
P（ MAX）的
- V
CS
- V
D
- V
民
) · I
CHARGE （ REG ）
P
D
= （ 5.5V - 0.1V - 0.4V - 3.1V ） · 750毫安
P
D
= 1.4W
2.下一步是确定哪些尺寸的封装
是需要保持低于结温其
额定值时，T
J（下最大）
。使用该值，并且马克西
该系统牛逼里面的妈妈环境温度
A（最大值）
,
计算热阻R
θJA
要求：
R
θJA
=
R
θJA
=
(T
J（下最大）
- T
A（最大值）
)
P
D
(150 - 40)
1.4
5.计算所需的阈值电压到deliv-
ER我
CHARGE （ REG ）
:
V
GS
= (V
CS
+ V
OL @ DRV
) - V
P（分钟）
V
GS
= (0.1V + 0.1V) - 4.5V
V
GS
= -4.3V
其中，V
GS
是可用的栅极到源极电压亲
由AAT3680 ，V vided
CS
是指在电压
检测电阻，V
OL @ DRV
是额定电压低的
DRV针和V
P（分钟）
是最坏的情况下的输入电压
（假设在5V电源10 ％容限） 。选择
具有足够低伏的MOSFET器件
GS （ TH）
因此，
设备将进行所需的I
CHARGE （ REG ）
.
6.计算最坏情况下的最大允许
R
DS （ ON）
在最坏的情况下， V
GS
电压：
R
DS （ ON）
=
R
DS （ ON）
=
(V
P（分钟）
- V
CS（ MAX）的
- V
蝙蝠（最大）
)
I
CHARGE （ REG ）
(4.5V - 0.11V - 4.242V)
0.75A
AAT3680
R
θJA
= 79℃ / W
建议选择的软件包与低级
R
θJA
比上述计算的次数。一个SOT223
包将是一个可以接受的选择，因为它有一个
R
θJA
62.5 ° C / W当安装到与阿德在PCB
充分的尺寸的铜焊盘焊接到散热片。
3.选择的漏极 - 源极（Ⅴ
DS
）额定电压
比输入电压更大。在本实施例中，V
P
是5.0V ，所以一个12V装置是可以接受的。
4.选择与漏电流额定值的MOSFET
大于设定的至少50％的
I
CHARGE （ REG ）
值。在这个例子中，我们将
选择一个设备与至少1.125A评级。
Q1
RFD10P03L
R
DS （ ON）
= 197m
选择一个P沟道功率MOSFET ，其中R
DS （ ON）
比197mΩ在V低
GS
= -4.3V.
总之，选择一个P沟道MOSFET与评级
V
DS
≥
12V ，R
θJA
≤
79 ° C / W和R
DS （ ON）
≥
在197mΩ
V
GS
= -4.3V在SOT223 （或更好的导热）封装。
VP
R
SENSE
0.2
R4
100k
BATT +
C2
10F
R1
1k
DRV
T2X
VP
CSI
BAT
BATT-
AAT3680
VP
TS
RT1
温度
VSS
C1
4.7F
D1
RT2
STAT
电池
PACK
R2
1k
图5 ：典型应用原理图使用P沟道功率MOSFET
3680.2003.4.0.91
11
