AD5232
5V
OP279
V
IN
OFFSET
GND
V
OUT
~
A
耐力量化Flash / EE存储器的是能力
经过许多程序，读取和擦除周期循环。在实际
而言，单个耐久性周期包括四个indepen-
凹痕，连续的事件。这些事件被定义为：
一。初始页擦除序列
B 。读/校验序列
。字节的程序顺序
。第二读/校验序列
在可靠性鉴定Flash / EE存储器是由循环
00
H
到FF
H
直到第一个失败的记录，标志着耐力
极限片内Flash / EE存储器。
W
DUT
B
失调偏置
图18.同相增益测试电路
A
V
IN
OFFSET
GND
+15V
W
DUT
B
2.5V
OP42
V
OUT
~
–15V
图19.增益与频率测试电路
0.1V
I
SW
CODE = OO
H
R
SW
=
+
B
I
SW
V
SS
到V
DD
_
0.1V
正如本数据手册的规格页，
AD5232 Flash / EE存储器耐力资质已
根据JEDEC规范A117在执行
工业级温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。结果
允许的最小耐久性系数超过供应的规格
和温度的10万次，与耐久数字
700000次循环是典型的操作在25℃ 。
保留量化Flash / EE存储器的保留能力
其编程的数据随着时间的推移。同样， AD5232一直
按照正规的JEDEC保持生命对外贸易资质音响编
时间特定网络阳离子（ A117 ）在一个特定的C的结温
(T
J
= 55 ° C） 。由于这种对外贸易资质科幻阳离子的过程中， Flash / EE存储器的一部分
内存循环到上述指定的耐力极限，
之前保存数据的特点。这意味着Flash / EE
存储器是保证保留其数据作全面指定reten-
化生命周期的每一个Flash / EE存储器被重新编程时间。它
还应当注意的是，保持寿命的基础上，激活此
0.6电子伏特能量化，会以T减免
J
如图23 。
300
DUT
W
图20.增量导通电阻测试电路
NC
V
DD
DUT
V
SS
GND
A
W
B
V
CM
I
CM
250
NC
NC =无连接
RETENTION - 年
200
图21.共模漏电流测试电路
A1
A2
V
DD
RDAC
2
RDAC
1
W2
W1
B1 V
SS
B2
ADI典型
性能
AT
T
J
= 55 C
150
100
V
IN
~
NC
V
OUT
50
C
TA
= 20日志[V
OUT
/ V
IN
]
图22.模拟串扰测试电路
闪存/ EEMEM可靠性
0
40
50
60
70
80
90
T
J
结温 - C
100
110
对AD5232的Flash / EE存储器阵列是完全合格
两个关键的Flash / EE存储器的特点，即Flash / EE存储器
内存自行车耐力和Flash / EE存储器数据
滞留。
图23. Flash / EE存储器数据保留
第0版
–15–
