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PD78F0058 ， 78F0058Y
Flash存储器编程特性（V
DD
= 2.75.5 V，T
A
= 1040 ℃）下
（ 1）写入/删除特性
参数
写入电流（V
DD
针）
注1
符号
t
DDW
当V
PP
= V
PP1
条件
5.0 MHz的晶体振荡
操作模式
(f
XX
= 2.5兆赫）
注2
5.0 MHz的晶体振荡
操作模式
(f
XX
= 5.0兆赫）
注3
写入电流（V
PP
针）
注1
I
PPW
当V
PP
= V
PP1
5.0 MHz的晶体振荡
操作模式
(f
XX
= 2.5兆赫）
注2
5.0 MHz的晶体振荡
操作模式
(f
XX
= 5.0兆赫）
注3
删除当前（V
DD
针）
注1
I
DDE
当V
PP
= V
PP1
5.0 MHz的晶体振荡
操作模式
(f
XX
= 2.5兆赫）
注2
5.0 MHz的晶体振荡
操作模式
(f
XX
= 5.0兆赫）
注3
删除当前（V
PP
针）
注1
单位时间删除
总时间删除
的覆盖人数
V
PP
电源电压
I
PPE
t
ER
t
ERA
C
WRT
V
PP0
V
PP1
删除和写入计为一个周期
在正常模式下
在闪存编程
0
9.7
10.0
当V
PP
= V
PP1
0.5
1
28.7
mA
分钟。
典型值。
马克斯。
15.5
单位
mA
28.7
mA
19.5
mA
32.7
mA
15.5
mA
100
1
20
20
0.2 V
DD
10.3
mA
s
s
时
V
V
注意事项1 。
1.
AV
REF
电流和端口电流（电流流过内部的上拉电阻）不包括在内。
2.
当主系统时钟运行在f
XX
= f
XX
/ 2 （当振荡模式选择电阻（ OSMS ）
设置为00H ） 。
3.
当主系统时钟运行在f
XX
= f
XX
（当OSMS设置为01H ） 。
2）串行写操作的特征
参数
V
PP
建立时间
V
PP
↑
从V建立时间
DD
↑
从V RESET ↑建立时间
PP
↑
V
PP
从计数复位启动时间↑
算执行时间
V
PP
反高电平宽度
V
PP
反低电平宽度
V
PP
反噪声消除宽度
符号
t
PSRON
t
DRPSR
t
PSRRF
t
RFCF
t
算
t
CH
t
CL
t
NFW
8.0
8.0
40
V
PP
高压
V
PP
高压
V
PP
高压
条件
分钟。
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
典型值。
马克斯。
单位
s
s
s
s
ms
s
s
ns
54
数据表U12092EJ1V0DS00
