位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第969页 > A82DL1632TG-70U > A82DL1632TG-70U PDF资料 > A82DL1632TG-70U PDF资料1第10页
A82DL16x2T （ U）系列
表1-2。设备总线操作 - 闪存字节模式（
BYTE_F
手术
（注1,2 ）
从Flash中读取
= V
IL
)
RESET
WP
/ ACC
（注4 ）
CE_F
C
E1_S
H
CE2_S
X
OE
L
WE
H
A0-A19
LB_S
UB_S
（注3 ） （注3 ）
I / O
7
–
I / O
0
I
OUT
I / O
15
–
I / O
8
高-Z
I / O
14–8
=高阻;
I / O
15
=A-1
高-Z
L
X
H
L
X
A
IN
X
X
H
L / H
写FLASH
L
X
L
X
H
X
L
H
L
A
IN
X
X
H
（注3）
I
IN
待机
VCC =
0.3 V
X
L
H
X
H
X
X
X
X
X
L
X
X
X
VCC_F ±
0.3 V
H
高-Z
输出禁用
L
H
H
L
H
L / H
高-Z
高-Z
闪存硬件
RESET
H
X
X
H
X
X
L
X
H
L
L
X
H
L
L
X
X
X
A
IN
X
X
V
ID
（注6 ）
I
IN
高-Z
L
H
L
L
H
L
H
H
H
X
H
X
I
OUT
高-Z
I
OUT
I
IN
高-Z
I
IN
I
OUT
I
OUT
高-Z
I
IN
I
IN
高-Z
SA ，
A6 = L时，
A 1 = H，
A0 = L
SA ，
A6 = H，
A 1 = H，
A0 = L
X
X
V
ID
L / H
I
IN
X
X
X
X
X
L
L / H
高-Z
高-Z
部门保护
（注）
L
X
H
部门撤消
（注5 ）
L
X
H
X
X
X
X
V
ID
（注6 ）
I
IN
X
临时
部门撤消
从阅读
SRAM
H
L
H
L
H
A
IN
H
L
H
写入SRAM
H
L
H
X
L
A
IN
L
L
注： L =逻辑低= V
IL
，H =逻辑高电平= V
IH
, V
ID
= 8.5–12.5 V, V
HH
= 9.0 ± 0.5 V ， X =无所谓， SA =扇区地址，
A
IN
=地址（用于Flash字节模式， I / O
15
= A- 1 ） ，我
IN
=数据中，我
OUT
=数据输出
注意事项：
除了那些在此列表示1.Other操作被禁止。
2.Do不适用
CE_F
= V
IL
,
CE1_S
= V
IL
和CE2_S = V
IH
同时。
3.Don't护理或开放
LB_S
or
UB_S
.
4.扇区保护和扇区解除保护功能也可以通过编程设备来实现。见
“部门/部门块保护和unprotection的”一节。
5.如果
WP
/ ACC = V
IL
，最外边的两个引导区受到保护。如果
WP
/ ACC = V
IH
，两个最外侧的引导扇区
保护取决于他们是否正在使用中的“部门/部门块描述的方法最后的保护或不受保护
保护和unprotection的“ 。如果
WP
/ ACC = V
HH
，所有部门将不受保护。
初步
（ 2005年5月，版本0.1 ）
9
AMIC技术股份有限公司
