STP5NA80FP
N - 沟道增强型
快速功率MOS晶体管
初步数据
TYPE
STP5NA80FP
s
s
s
s
s
s
s
V
DSS
800 V
R
DS （ ON）
< 2.4
I
D
2.8 A
典型
DS （ ON）
= 1.8
±
30V栅极至源极电压额定值
100％的雪崩测试
重复性雪崩数据的AT 100
o
C
低的固有电容
栅极电荷最小化
化阈值电压蔓延
1
3
2
描述
该系列功率MOSFET
代表了最先进的高电压
技术。该optmized单元布局
再加上一个新的专有优势
终止同意给该设备的低
RDS （ on）和栅极电荷，无与伦比
耐用性和出色的开关
性能。
应用
s
大电流，高开关速度
s
开关模式电源（ SMPS ）
s
DC -AC转换器，用于焊接
设备和不间断
电源和电机驱动器
TO-220FP
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
吨OT
V
ISO
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
c
= 25
o
C
o
漏电流（连续）在T
c
= 100 C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
c
= 25
o
C
降额因子
绝缘W ithstand电压（DC ）
圣ORAGE温度
马克斯。工作结温
VALU ê
800
800
±
30
2.8
1.8
19
40
0.32
2000
-65到150
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
o
W / C
V
o
C
o
C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
1997年10月
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