BC856ALT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= -10毫安）
集电极发射极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
V
EB
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安）
发射-Base击穿电压
(I
E
= 1.0
毫安）
BC856系列
BC857系列
BC858 ， BC859系列
BC856系列
BC857A ， BC857B只有
BC858 ， BC859系列
BC856系列
BC857系列
BC858 ， BC859系列
BC856系列
BC857系列
BC858 ， BC859系列
V
（ BR ） CEO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
5.0
5.0
5.0
15
4.0
V
符号
民
典型值
最大
单位
V
（ BR ） CES
V
V
（ BR ） CBO
V
V
（ BR ） EBO
V
集电极截止电流（V
CB
= 30 V)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= -30 V，T
A
= 150°C)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10
毫安，
V
CE
= 5.0 V)
BC856A ， BC857A ， BC858A
BC856B ， BC857B ， BC858B
BC857C ， BC858C
BC856A ， BC857A ， BC858A
BC856B ， BC857B ， BC858B ， BC859B
BC857C ， BC858C ， BC859C
I
CBO
nA
mA
h
FE
125
220
420
90
150
270
180
290
520
0.7
0.9
250
475
800
(I
C
= -2.0毫安，V
CE
= 5.0 V)
集电极发射极饱和电压
(I
C
= -10毫安，我
B
= -0.5毫安）
(I
C
= -100毫安，我
B
= -5.0毫安）
基地发射极饱和电压
(I
C
= -10毫安，我
B
= -0.5毫安）
(I
C
= -100毫安，我
B
= -5.0毫安）
基地发射极电压上
(I
C
= -2.0毫安，V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= -10毫安，V
CE
= 5.0 V)
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= -10毫安，V
CE
= -5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= -10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
(I
C
= -0.2毫安，V
CE
= -5.0伏，R
S
= 2.0千瓦， F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
BC856 ， BC857 ， BC858系列
BC859系列
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
0.6
0.75
0.82
0.3
0.65
V
V
V
f
T
C
ob
NF
100
4.5
兆赫
pF
dB
10
4.0
http://onsemi.com
2
