汽车80C31BH 80C51BH 87C51
程序验证
（仅EPROM ）
如果锁定位2没有编程的片上
程序存储器可以可证实读出程序
阳离子程序存储单元的地址
要读取施加到端口1和2中所示
图13中的其它引脚保持在'验证
表3表明，Con表示代码数据'水平
被寻址单元的内容就被发射上
P0口外部上拉电阻，需要在端口0
此操作的详细时序规格
本数据手册后面的章节中所示
如果加密表已经被编程的
在端口0提供的数据将是异或非
该方案与字节的加密字节之一
用户必须知道加密表
为了正确地解码验证内容
数据的加密表本身不能被读
OUT
程序校验算法
（仅EPROM ）
任何算法中的条件的协议列表 -
编于表3和其满足定时specifi-
阳离子适用
擦除特性
（仅EPROM ）
对EPROM的擦除开始发生时的
芯片被暴露于光的波长越短
比约4 000埃由于阳光
和荧光灯具有在此波长
范围内接触这些光源在一个EX-
往往时间（约1周在阳光下或3年
房间级荧光灯）可能会导致inadver-
10吨擦除如果应用程序科目设备
这种类型的曝光的故建议不透明
标签被放置在窗口
推荐的擦除程序曝光
于紫外光（ 2537埃）至integrat-
至少15 W-秒厘米ED剂量
2
揭
EPROM 12000的紫外线灯
mW
cm
2
等级30分钟以大约1英寸的距离
应该是足够
叶擦除阵列中的所有状态1秒
读标识字节
（仅EPROM ）
签名字节的相同程序读
由于位置030H和031H正常验证
所不同的是P3 6和P3 7需要被拉到
逻辑低电平返回的值是
(030H)
e
89H表示由英特尔制造
(031H)
e
57H表示87C51
EPROM编程和VERI网络阳离子特点
(T
A
e
21 ℃ 27℃ V
CC
e
5V
g
20% V
SS
e
0V)
符号
V
PP
I
PP
1 T
CLCL
T
AVGL
T
GHAX
T
DVGL
T
GHDX
T
EHSH
T
SHGL
T
GHSL
T
GLGH
T
AVQV
T
ELQV
T
EHQZ
T
GHGL
参数
编程电压
编程电源电流
振荡器频率
地址设置到PROG低
PROG后的地址保持
数据建立到PROG低
PROG后数据保持
P2 7 （ ENABLE ）高到V
PP
V
PP
设置到PROG低
V
PP
持有PROG后
PROG宽度
地址到数据有效
ENABLE低到数据有效
数据浮动启用后，
PROG高到低PROG
0
10
4
48T
CLCL
48T
CLCL
48T
CLCL
48T
CLCL
48T
CLCL
10
10
90
110
48T
CLCL
48T
CLCL
48T
CLCL
ms
ms
ms
ms
民
12 5
最大
13 0
50
6
单位
V
mA
兆赫
15
