25AA640/25LC640/25C640
3.5
读状态寄存器（ RDSR ）
RDSR指令可访问状态
注册。状态寄存器可以随时读取，
即使在一个写周期。状态寄存器是格式化
泰德如下：
7
WPEN
6
X
5
X
4
X
3
BP1
2
BP0
1
WEL
0
WIP
分为4个段。用户有能力
写保护无，一个，两个或全部四个段的
阵列的求。分区被控制为
在表3-2中示出。
该
写保护使能（ WPEN ）
位是一个非易失
这一点可以作为一个使能位为WP引脚。
写保护（ WP）引脚和写保护
在状态使能（ WPEN ）位寄存器控制
可编程硬件写保护功能。硬
洁具写保护时启用WP引脚为低电平
和WPEN位为高。硬件写保护
禁用时，无论是WP引脚为高电平或WPEN
位为低。当芯片被硬件写保护
只写入非易失性位在状态寄存器中被
禁用。表3-3给出了功能上的矩阵
WPEN位。
参见图3-7 WRSR时序
该
写在制品（WIP ）
位指示是否
25XX640正忙于写操作。当设置为
“1”写入过程中，当设置为'0'没有写在
进展情况。该位是只读的。
该
写使能锁存器（ WEL ）
位指示状态
写使能锁存器。当设置为“1”的锁
允许写入阵列和状态寄存器，设置时
到一个“0”锁存器禁止写入阵列和状态
注册。该位的状态总是可以通过更新
国家无论WREN或WRDI命令
对写保护的状态寄存器。该位
只读的。
该
块保护（ BP0和BP1 ）
位指示
哪些块当前写保护状态。这些位
通过发出WRSR指令用户设置。
这些位是非易失性的。
参见图3-6 RDSR时序
表3-2：
BP1
0
0
1
1
保护阵列
BP0
0
1
0
1
数组地址
写保护
无
上部1/4
（ 1800H - 1FFFh的）
上部1/2
（ 1000H - 1FFFh的）
所有
（ 0000H - 1FFFh的）
3.6
写状态寄存器（ WRSR ）
WRSR指令允许用户选择一个
四个级别保护为阵列的通过写
相应的位在状态寄存器。该阵列是
图3-6：
读状态寄存器序列
CS
0
SCK
指令
SI
0
0
0
0
0
1
0
1
从状态寄存器的数据
6 5 4 3 2
1 0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15
高阻抗
SO
7
图3-7：
写状态寄存器序列
CS
0
SCK
指令
SI
0
0
0
0
0
0
0
1
7
6
数据状态寄存器
5
4
3
2
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15
高阻抗
SO
1997 Microchip的技术公司
初步
DS21223A第9页
