ST93CS66
ST93CS67
4K （ 256 ×16 ），串行EEPROM MICROWIRE
不适用于新设计
100万次擦/写，带
40年数据保留
自定时编程周期
自动擦除
期间READY / BUSY信号
程序设计
单电源电压
- 3V至5.5V的ST93CS66
- 2.5V至5.5V的ST93CS67
用户自定义写保护区
页写模式（ 4个字）
连续读操作
5ms的典型时间
ST93CS66和ST93CS67被取代
在M93S66
8
1
PSDIP8 （ B）
0.25毫米框架
14
1
SO14 （ ML）的
150mil宽度
图1.逻辑图
描述
该ST93CS66和ST93CS67是4K位Electri-
美云可擦除可编程存储器（EEPROM）
制作与SGS - THOMSON的高耐用性
单多晶硅CMOS技术。内存
通过串行输入D和输出Q.访问
在4K位存储器由256 ×16位
字。存储器是由一组指令的存取
系统蒸发散，其中包括读，写，页写，写
所有和指令用来设置内存保护
化。读取指令加载的地址
第一个字被读入一个内部地址
指针。
表1.信号名称
S
D
Q
C
PRE
W
V
CC
V
SS
片选输入
串行数据输入
串行数据输出
串行时钟
保护启用
写使能
电源电压
地
VCC
D
C
S
PRE
W
ST93CS66
ST93CS67
Q
VSS
AI00906B
1997年6月
这是一个产品信息仍然不推荐在新德标牌生产BU吨。
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