晶体管
2SA1762
PNP硅外延平面型
对于低频驱动器放大
补充2SC4606
6.9±0.1
1.5
2.5±0.1
1.0
1.0
2.4±0.2 2.0±0.2 3.5±0.1
单位：mm
s
特点
q
q
1.5 R0.9
R0.9
高集电极到发射极电压V
首席执行官
.
最适用于低频率的驱动级和25至30W
输出放大器。
0.4
1.0±0.1
R
0.
0.85
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
*
(Ta=25C)
评级
–80
–80
–5
–1
– 0.5
1
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
W
C
C
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
3
0.55±0.1
1.25±0.05
0.45±0.05
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C*
T
j
T
英镑
2
1
2.5
2.5
EIAJ ： SC- 71
M型模具包
印刷电路板：为1cm铜箔区
2
以上，板
厚度1.7毫米的集电极部
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25C)
符号
I
CBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1*
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
V
CB
= -20V ，我
E
= 0
I
C
= -10μA ，我
E
= 0
I
C
= -100μA ，我
B
= 0
I
E
= -10μA ，我
C
= 0
V
CE
= -10V ，我
C
= -150mA
V
CE
= -5V ，我
C
= -500mA
I
C
= -300mA ，我
B
= -30mA
I
C
= -300mA ，我
B
= -30mA
V
CB
= -10V ，我
E
= 50mA时F = 200MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1 MHz的
–80
–80
–5
130
50
100
– 0.2
– 0.85
85
11
20
– 0.4
–1.2
V
V
兆赫
pF
330
民
典型值
最大
– 0.1
单位
A
V
V
V
*
h
FE1
等级分类
R
130 ~ 220
S
185 ~ 330
秩
h
FE1
4.1±0.2
4.5±0.1
7
1
