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功率晶体管
2SB1417 ， 2SB1417A
PNP硅外延平面型
进行功率放大
补充2SD2137和2SD2137A
I
特点
高正向电流传输比H
FE
它具有良好的
线性
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
允许自动插入径向编带
13.0
±0.2
4.2
±0.2
10.0
±0.2
1.0
±0.2
单位：mm
5.0
±0.1
2.5
±0.1
1.2
±0.1
1.48
±0.2
90
C 1.0
2.25
±0.2
18.0
±0.5
浸焊
I
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
收藏家基地
电压
集电极
发射极电压
2SB1417
2SB1417A
2SB1417
2SB1417A
V
EBO
I
CP
I
C
T
C
= 25°C
T
a
= 25°C
T
j
T
英镑
P
C
V
首席执行官
符号
V
CBO
等级
60
80
60
80
6
5
3
15
2.0
150
55
to
+150
°C
°C
V
A
A
W
V
单位
V
0.65
±0.1
0.65
±0.1
0.35
±0.1
1.05
±0.1
0.55
±0.1
2.5
±0.2
2.5
±0.2
1 2 3
0.55
±0.1
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电源
耗散
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
MT- 4 （ MT4型包）
结温
储存温度
I
电气特性
T
C
=
25°C
参数
集电极截止
当前
集电极截止
当前
发射Cuto FF电流
集电极到发射极
电压
2SB1417
2SB1417A
h
FE1 *
h
FE2
基地发射极电压
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
注） *：等级分类
秩
h
FE1
Q
70至150
P
120至250
排序可以用普通级（PQ秩进行
FE1
= 70 250）中的
等级分类。
V
BE
V
CE （ SAT ）
f
T
t
on
t
英镑
t
f
V
CE
=
4
V，I
C
=
1
A
V
CE
=
4
V，I
C
=
3
A
V
CE
=
4
V，I
C
=
3
A
I
C
=
3
A，I
B
=
0.375 A
V
CE
=
5
V，I
C
=
0.2 A ， F = 10 MHz的
I
C
=
1
A，I
B1
=
0.1 A，I
B2
= 0.1 A,
V
CC
=
50
V
30
0.3
1.0
0.2
2SB1417
2SB1417A
2SB1417
2SB1417A
I
EBO
V
首席执行官
I
首席执行官
符号
I
CES
条件
V
CE
=
60
V, V
BE
= 0
V
CE
=
80
V, V
BE
= 0
V
CE
=
30
V，I
B
= 0
V
CE
=
60
V，I
B
= 0
V
EB
=
6
V，I
C
= 0
I
C
=
30
妈，我
B
= 0
60
80
70
10
1.8
1.2
V
V
兆赫
s
s
s
250
民
典型值
最大
100
100
100
100
100
A
V
A
单位
A
正向电流传输比
1
