晶体管
2SB1438
PNP硅外延平面型
对于低频输出放大
单位：mm
6.9±0.1
0.15
1.05 2.5±0.1
±0.05
(1.45)
0.8
0.5
4.5±0.1
0.7
4.0
s
特点
q
q
q
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
.
高集电极到发射极电压V
首席执行官
.
让供应与径向录音。
0.65最大。
1.0 1.0
0.2
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
*
(Ta=25C)
评级
–100
–100
–5
–3
–2
1
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
W
C
C
0.45
–0.05
0.45
–0.05
+0.1
+0.1
2.5±0.5
2.5±0.5
2
3
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C*
T
j
T
英镑
1
注意：除了
所示引线型
上图所示，
在如图所示键入
下图是
也可提供。
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
MT2类型封装
印刷电路板：为1cm铜箔区
2
以上，板
厚度1.7毫米的集电极部
1.2±0.1
0.65
马克斯。
0.45
+0.1
– 0.05
2.5±0.1
（ HW型）
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25C)
符号
I
CBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
V
CB
= -50V ，我
E
= 0
I
C
= -10μA ，我
E
= 0
I
C
= -1mA ，我
B
= 0
I
E
= -10μA ，我
C
= 0
V
CE
= -2V ，我
C
= -200mA
V
CE
= -2V ，我
C
= –1A
*2
I
C
= -1A ，我
B
= -50mA
*2
I
C
= -1A ，我
B
= -50mA
*2
V
CB
= -10V ，我
E
= 50mA时F = 200MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
–100
–100
–5
120
60
– 0.17
– 0.85
90
70
*2
民
典型值
最大
– 0.1
14.5±0.5
单位
A
V
V
V
340
– 0.3
–1.2
V
V
兆赫
90
pF
脉冲测量
*1
h
FE1
等级分类
R
120 ~ 240
S
170 ~ 340
秩
h
FE1
1
