晶体管
P
C
- TA
800
1.2
I
B
=4.0mA
1.0
Ta=25C
3.5mA
3.0mA
0.8
2.5mA
2.0mA
0.6
1.5mA
0.4
1.0mA
0.5mA
0.2
100
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
1
2
3
4
5
6
2SD1302
I
C
— V
CE
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.01 0.03
Ta=75C
25C
–25C
V
CE （ SAT ）
— I
C
I
C
/I
B
=25
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
700
600
500
400
300
200
集电极电流I
C
(A)
0.1
0.3
1
3
10
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
BE （ SAT ）
— I
C
100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
1200
V
CE
=2V
400
f
T
— I
E
V
CB
=10V
Ta=25C
基地发射极饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
1000
过渡频率f
T
（兆赫）
0.3
1
3
10
30
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.01 0.03
Ta=–25C
75C
正向电流传输比H
FE
350
300
250
200
150
100
50
800
Ta=75C
600
25C
–25C
400
25C
200
0.1
0.3
1
3
10
0
0.01 0.03
0.1
0
–1
–3
–10
–30
–100
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
发射极电流I
E
（MA ）
C
ob
— V
CB
24
R
on
— I
B
I
E
=0
Ta=25C
f=1MHz
1000
300
R
on
测量电路
I
B
=1mA
集电极输出电容C
ob
（PF ）
20
在阻抗R
on
(
)
100
30
10
3
1
0.3
V
B
V
V
A
16
f=1kHz
V=0.3V
12
8
4
0
1
3
10
30
100
0.1
0.01 0.03
0.1
0.3
1
3
10
集电极基极电压V
CB
(V)
基极电流I
B
（MA ）
2
