晶体管
2SB1050
PNP硅外延平面型
对于低频放大
单位：mm
6.9±0.1
1.5
2.5±0.1
1.0
s
q
q
q
特点
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
.
大的集电极电流I
C
.
M型封装可以方便的自动和手动插入的
以及独立固定到印刷电路板上。
1.5 R0.9
R0.9
0.4
2.4±0.2 2.0±0.2 3.5±0.1
1.0
0.45±0.05
1
1.0±0.1
R
0.
0.85
0.55±0.1
(Ta=25C)
评级
–30
–20
–7
–8
–5
1
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
W
C
C
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
2.5
2.5
3
2
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
*
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C*
T
j
T
英镑
EIAJ ： SC- 71
M型模具包
印刷电路板：为1cm铜箔区
2
以上，板
厚度1.7毫米的集电极部
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25C)
符号
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE*1
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
V
CB
= -10V ，我
E
= 0
V
EB
= -5V ，我
C
= 0
I
C
= -1mA ，我
B
= 0
I
E
= -10μA ，我
C
= 0
V
CE
= -2V ，我
C
= –2A
*2
I
C
= -3A ，我
B
= –0.1A
*2
V
CB
= -6V ，我
E
= 50mA时F = 200MHz的
V
CB
= -20V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
*2
民
典型值
1.25±0.05
s
绝对最大额定值
最大
–100
–100
4.1±0.2
4.5±0.1
7
单位
nA
nA
V
V
–20
–7
90
625
–1
120
85
V
兆赫
pF
脉冲测量
*1
h
FE
等级分类
P
90 ~ 135
Q
120 ~ 205
R
180 ~ 625
秩
h
FE
1
