功率晶体管
2SB1490
PNP硅外延平面型达林顿
进行功率放大
补充2SD2250
6.0
20.0±0.5
φ
3.3±0.2
5.0±0.3
3.0
单位：mm
26.0±0.5
10.0
s
特点
q
q
q
最佳的80W高保真输出
高盼着电流传输比H
FE
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
： < -2.5V
1.5
2.0
4.0
1.5
浸焊
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
20.0±0.5
2.5
2.0±0.3
3.0±0.3
1.0±0.2
(T
C
=25C)
评级
–160
–140
–5
–12
–7
90
3.5
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
2.7±0.3
0.6±0.2
5.45±0.3
10.9±0.5
1
2
3
A
W
C
C
B
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
TOP- 3L包装
内部连接
C
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极到发射极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
*
h
E
(T
C
=25C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
首席执行官
h
FE1
h
FE2
*
条件
V
CB
= -160V ，我
E
= 0
V
CE
= -140V ，我
B
= 0
V
EB
= -5V ，我
C
= 0
I
C
= -30mA ，我
B
= 0
V
CE
= -5V ，我
C
= –1A
V
CE
= -5V ，我
C
= –6A
I
C
= -6A ，我
B
= -6mA
I
C
= -6A ，我
B
= -6mA
V
CE
= -10V ，我
C
= - 0.5A ， F = 1MHz的
I
C
= -6A ，我
B1
= -6mA ，我
B2
= 6毫安，
V
CC
= –50V
民
典型值
最大
–100
–100
–100
2.0
1.5
3.0
单位
A
A
A
V
140
2000
5000
30000
–2.5
–3.0
20
1.0
1.5
1.2
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
t
on
t
英镑
t
f
V
兆赫
s
s
s
FE2
等级分类
Q
P
5000 8000 15000 30000
秩
h
FE2
1
