功率晶体管
2SB1643
PNP硅外延平面型
进行功率放大
10.0±0.3
1.5±0.1
8.5±0.2
6.0±0.5
3.4±0.3
单位：mm
1.0±0.1
s
特点
q
q
q
1.5max.
1.1max.
高集电极到发射极V
首席执行官
高集电极耗散功率P
C
N型包使散热片直接焊接到
在印刷电路板，小型电子设备等。
(T
C
=25C)
评级
–60
–60
–6
–6
–3
–1
40
1.3
150
-55到+150
单位
V
V
10.5min.
2.0
0.8±0.1
0.5max.
2.54±0.3
5.08±0.5
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
基极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
1
2
3
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
N型套餐
单位：mm
3.4±0.3
1.0±0.1
8.5±0.2
6.0±0.3
1.5
–0.4
2.0
A
A
W
C
4.4±0.5
3.0
–0.2
0.8±0.1
2.54±0.3
R0.5
R0.5
1.1最大。
00.4
5.08±0.5
1
2
3
C
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
N型封装（ DS ）
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极到发射极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
*
h
(T
C
=25C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
首席执行官
h
FE
f
T
*
条件
V
CB
= -60V ，我
E
= 0
V
EB
= -40V ，我
C
= 0
V
EB
= -6V ，我
C
= 0
I
C
= -25mA ，我
B
= 0
V
CE
= -4V ，我
C
= – 0.5A
I
C
= -2A ，我
B
= – 0.05A
V
CE
= -12V ，我
C
= - 0.2A ， F = 10MHz时
民
典型值
最大
–100
–100
–100
4.4±0.5
单位
A
A
A
V
–60
300
700
–1
30
V
CE （ SAT ）
V
兆赫
FE
等级分类
Q
300至500
P
400700
秩
h
FE
14.7±0.5
+0.4
A
10.0±0.3
V
+0
1
