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RECTRON
半导体
技术规格
1N5223B
THRU
1N5261B
500mW的5 % DO- 35稳压二极管
绝对最高可额定值( TA = 25
o
C)
功耗
功率降额
( 75以上
o
C)
正向电压
@if = 10毫安
VZ耐性的
结温。
储存温度。
符号
P
合计
评级
500
4.0
Vf
1.2
5
-65 175
-65 175
单位
mW
毫瓦/
o
C
V
%
o
C
o
C
尺寸
DO-35
2 6 M IN
0 .4 5 7
IA 。
0 .5 5 9
T
J
T
英镑
4 .2
M AX 。
2 .0
IA 。
M AX 。
2 6 M IN
单位:毫米
机械数据
P一CKA克é
C A SE
铅/网络SH妮
喜P
马泰阿尔斯
D 2 O - 35
Hermeti美云密封的玻璃
ouble梭哈/焊接普拉蒂NG
玻璃帕西氧基团
电气特性( TA = 25
o
C)
齐纳
电压
TYPE
VZ (V)的
1N5223B
1N5224B
1N5225B
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
1N5234B
1N5235B
2.7
2.8
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
IZT (毫安)
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
RZ (欧姆)
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
7
5
Izt(mA0
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
最大齐纳
阻抗
最大齐纳
阻抗
IZT = 0.25毫安
最大
反向
当前
温度。
COEFF 。
DVZ
RZ (欧姆)
1300
1400
1600
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1600
1000
750
VR ( V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.6
红外光谱(微安)
75
75
50
25
15
10
5
5
5
5
5
5
3
(%/
o
C)
-0.080
-0.080
-0.075
-0.070
-0.065
-0.060
+/-0.055
+/-0.030
+/-0.030
+/-0.038
+/-0.038
+0.045
+0.050
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