1N5226B - 1N5257B系列
1N5226B - 1N5257B系列半瓦齐纳二极管
绝对最大额定值*
参数
存储温度范围
最高结工作温度
焊接温度（ 1/16“从案例10秒）
器件总功耗
减免上述75℃
浪涌电源**
TA = 25° C除非另有说明
公差： B = 5 ％
价值
-65到+200
+ 200
+ 230
500
4.0
10
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
W
*
这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
**
非经常性方波PW = 8.3毫秒， TA = 55 ℃。
注意事项：
1)
这些评级是基于200度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲应用咨询
或低工作周期操作。
DO-35
电气特性
设备
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
1N5234B
1N5235B
1N5236B
1N5237B
1N5238B
1N5239B
1N5240B
1N5241B
1N5242B
TA = 25° C除非另有说明
V
Z
(V)
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
Z
Z
()
28
24
23
22
19
17
11
7.0
7.0
5.0
6.0
8.0
8.0
10
17
22
30
@
I
ZT
（MA ）
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
Z
ZK
()
1,600
1,700
1,900
2,000
1,900
1,600
1,600
1,600
1,000
750
500
500
600
600
600
600
600
@
I
ZK
（MA ）
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.0
8.0
8.4
9.1
@
I
R
(A)
25
15
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
T
C
(%/°C)
- 0.07
- 0.065
- 0.06
+/- 0.055
+/- 0.03
+/- 0.3
0.038
0.038
0.045
0.05
0.058
0.062
0.065
0.068
0.075
0.076
0.077
V
F
FOWARD电压= 1.1 V最大@我
F
= 200毫安的所有1N5200系列
注意：
在全国首选设备
胆大
1997
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
1N5200B版本A
