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数据表
图26.英特尔微处理器的写周期时序
t
H(1)
L3M
TXC-03452B
A(7-0)
t
H(2)
D(7-0)
t
SU(2)
t
SU(1)
SEL
t
SU(4)
t
SU(3)
WR
t
PW(1)
t
D(1)
t
D(2)
t
F
RDY
t
PW(2)
参数
WR ↑后（ 7-0 ）地址保持时间
A（ 7-0 ）地址建立时间SEL ↓
D（ 7-0 ）的数据有效设定时间到WR ↑
WR ↑后， D（ 7-0 ）数据保持时间
SEL ↓建立时间到WR ↓
WR脉冲宽度
SEL ↓后RDY ↑延迟
WR ↓后RDY ↓延迟
RDY脉冲宽度*
SEL ↑后RDY时差
RAM周期D（ 7-0 ）有效建立时间到WR ↓
符号
t
H(1)
t
SU(1)
t
SU(2)
t
H(2)
t
SU(3)
t
PW(1)
t
D(1)
t
D(2)
t
PW(2)
t
F
t
SU(4)
民
3.0
0.0
8.0
6.0
10.0
40.0
典型值
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10.0
16.0
0.0
48 * Rcyc
10.0
-2 * Rcyc
ns
ns
ns
ns
ns
*注： RDY变为低电平时，地址被写入对应一个内存位置，但仍处于高位很好地协同
荷兰国际集团地位或控制寄存器的访问。
Rcyc是周期的RAM时钟（ RAMCI ） （例如， RAMCI @ 25MHz的收益率，在纳秒：
t
SU(4)
= -80ns分钟，T
PW(2)
= 1.92μs最大值）
- 96 45 -
TXC-03452B-MB
埃德。 6 ， 2001年4月
