摩托罗拉
半导体技术资料
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通过1SMA5.0AT3 / D
齐纳瞬态电压
抑制器
规格特点：
反向对峙电压范围： 5.0 - 78 V
峰值功率 - 400瓦@ 1.0毫秒
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
微微秒响应时间（ 0 V至BV ）
平板触摸表面的精确定位
包装设计的顶部侧面和底部电路板安装
可用磁带和卷轴
低廓包
机械特性：
案例：无空洞，传递模塑料
最大外壳焊接温度的目的： 260 ℃，
10秒
表面处理：所有外部表面耐腐蚀用随手可焊
LEADS
极性：负极通过模压极性缺口指示
安装位置：任意
最大额定值和特性
等级
峰值功率耗散@ TL = 25 ° C， PW = 10/1000
s
（注1 ）
峰值正向浪涌@ TA = 25° C（ JEDEC的方法，注2 ）
热阻结到铅
从结点到环境的热阻
正向电压@ 40 A
工作和存储结温范围
1SMA5.0AT3
通过
1SMA78AT3
塑料表面贴装
齐纳管
瞬态抑制器
5.0 - 78伏VR
400瓦峰值功率
SMA
CASE 403B -01
塑料
符号
PPK
IFSM
R
θJL
R
θJA
VF
价值
400
40
29
150
3.5
单位
瓦
安培
° C / W
° C / W
伏
°C
TJ ， TSTG
150
* FR4板，采用摩托罗拉公司推荐的最低足迹，如图情况403B外形尺寸规格。
1.非重复性电流脉冲。
2.测的0.3毫秒单一正弦半波或等效方波，占空比=每分钟最多4个脉冲。
电气特性
（ VF = 3.5伏特@ IF = 40 A的所有类型）
反向
对峙
电压VRWM
（伏）
5.0
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
击穿电压
VBR
伏
（分钟）
6.4
6.67
7.22
7.78
8.33
8.89
9.44
10
IT
mA
10
10
10
10
1
1
1
1
最大
反向电压
@ IRSM
（钳位电压）
VRSM （伏特）
9.2
10.3
11.2
12.0
12.9
13.6
14.4
15.4
最大
反向
浪涌电流
IRSM
（安培）
43.5
38.8
35.7
33.3
31.0
29.4
27.8
26.0
最大
反向漏
@ VRWM
IR（ μA ）
400
400
250
250
50
25
5.0
2.5
Devce
D
记号
设备
D I
1SMA5.0AT3
1SMA6.0AT3
1SMA6.5AT3
1SMA7.0AT3
1SMA7.5AT3
1SMA8.0AT3
1SMA8.5AT3
1SMA9.0AT3
QE
QG
QK
QM
QP
QR
QT
QV
（续）
*公差和电压的指派公差代号 - 列出的型号表示公差
±5%.
REV 1
摩托罗拉公司1996年
1SMA5.0AT3通过1SMA78AT3
摩托罗拉
1
