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HYS64V8200GDL/HYS64V16220GDL
144针SO-DIMM SDRAM模块
串行存在检测
串行存在检测存储设备 - é
2
PROM - 组装到模块。信息
关于该模块的配置，速度等被写入到电子
2
模块在PROM设备
使用串行存在检测生产协议（I
2
同步2线总线）
SPD-表：
BYTE ＃
描述
SPD项值
-7
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
SPD的字节数
在串行PD总字节
内存类型
行地址数
列地址数
DIMM银行数量
模块数据宽度
模块数据宽度（续）
模块接口电平
SDRAM的周期时间在CL = 3
从时钟在CL = 3 SDRAM存取时间
DIMM配置（错误的Det /科尔。 ）
刷新率/类型
SDRAM宽度，主
错误检查SDRAM的数据宽度
最小时钟延时返回到回
随机列地址
突发长度支持
SDRAM银行数量
支持CAS潜伏期
CS潜伏期
WE潜伏期
SDRAM DIMM模块属性
SDRAM的设备属性：一般
SDRAM的周期时间在CL = 2
从时钟SDRAM存取时间
CL=2
SDRAM的周期时间在CL = 1
从时钟SDRAM存取时间
CL=1
最小行预充电时间
128
256
SDRAM
12
9
1/2
64
0
LVTTL
7.5 / 10.0纳秒
5.4 / 6.0纳秒
无
自刷新，
15.6s
不适用
t
CCD
= 1 CLK
1 ，2，4 & 8
2
2 ， & 3
CS延迟= 0
写入延迟= 0
非缓冲/非
注册。
VCC TOL +/- 10 ％
7.5 / 10.0纳秒
5.4 / 6.0纳秒
不支持
不支持
15/20纳秒
（十六进制）
8M ×64
-7.5
-8
80
08
04
0C
09
01
40
00
01
75
54
75
54
A0
60
00
80
10
00
01
0F
04
06
01
01
00
0E
75
54
00
00
0F
A0
60
FF
FF
14
A0
60
FF
FF
14
75
54
00
00
0F
A0
60
FF
FF
14
A0
60
FF
FF
14
75
54
75
54
A0
60
02
-7
16M ×64
-7.5
-8
在网络连接霓虹灯技术
11
9.01
