R3130N ××× A / C， R3131N ×××的A / C
R3131N30××
××8-TR
××
符号
V
DDH
项
最大工作电压
CMOS输出
V
DDL
（ * 3 ）最低工作电压
N沟道开漏
产量
V
DET
I
SS1
I
SS2
I
SS3
V
OH
V
OL
tDELAY时间
(*2)
V
DET
/
ΔTopt
检测阈值
供应当前1
供应电流2
供应Current3
“H”时的输出电压
“L”，输出电压
输出延迟时间
发布
检测阈值
温度COEF网络cient
V
DD
=6.00V
V
DD
=3.18V
V
DD
=2.98V
V
DD
= 2.98V我
OUT
=-500A
,
V
DD
= 3.18V我
OUT
=1.2mA
,
0.8×V
DD
I
OH
=-10A
V
DS
=6.5V
3.034
0.90
条件
分钟。
典型值。
6.0
[Topt=25°C]
马克斯。
单位
V
1.00
V
3.080
1.40
1.25
1.10
0.93×V
DD
0.16
3.126
5.00
4.00
3.50
V
A
A
A
V
0.30
V
参阅电气特性由输出延迟时间发布
-40°C
≤
TOPT
≤
85°C
±100
PPM /
°C
[Topt=25°C]
R3131N40××
×× -TR
××
符号
V
DDH
项
最大工作电压
CMOS输出
V
DDL
（ * 3 ）最低工作电压
N沟道开漏
产量
V
DET
I
SS1
I
SS2
I
SS3
V
OH
V
OL
tDELAY时间
(*2)
V
DET
/
ΔTopt
检测阈值
供应当前1
供应电流2
供应Current3
“H”时的输出电压
“L”，输出电压
输出延迟时间
发布
检测阈值
温度COEF网络cient
V
DD
=6.00V
V
DD
=3.90V
V
DD
=4.10V
V
DD
= 3.90V我
OUT
=-800A
,
V
DD
= 4.10V我
OUT
=3.2mA
,
0.8×V
DD
I
OH
=-10A
V
DS
=6.5V
3.940
0.90
条件
分钟。
典型值。
6.0
马克斯。
单位
V
1.00
V
4.000
1.40
1.30
1.15
0.95×V
DD
0.18
4.060
5.00
4.00
3.50
V
A
A
A
V
0.40
V
参阅电气特性由输出延迟时间发布
-40°C
≤
TOPT
≤
85°C
±100
PPM /
°C
10
