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IC42S81600/IC42S81600L
IC42S16800/IC42S16800L
预充电
预充电命令可以随时吨后置
RAS
（分钟）的关系。
不久之后预充电命令被断言，则进行预充电操作和同步DRAM进入
吨后，空闲状态
RP
（分钟）的关系。参数t
RP
是执行预充电所需的时间。
该预充电命令可以断言，而不在突发丢失任何数据在一个读周期的最早定时是如
如下。
P
rechargeE
T0
CLK
命令
读
T1
T2
T3
T4
T5
T6
突发lengh中= 4
T7
PRE
CAS
潜伏期
=
DQ
2
Q0
Q1
Q2
Q3
嗨 - z
命令
读
PRE
CAS
潜伏期
=
DQ
3
Q0
Q1
Q2
Q3
嗨 - z
(t
RAS
纳）
为了正确地写入所有数据到存储单元中，异步参数t
DPL
必须得到满足。经t
DPL
（分）
规范定义了一个预充电命令可以断言的最早时间。时钟的最小数目可以是
除以吨计算
DPL
（分钟）与时钟周期时间。
总之，预充电命令可以断言相对于参考时钟指示的最后一个数据字是
有效的。在下面的表中，减去装置的基准时钟之前;再加意味着基准时间后。
CAS
潜伏期
2
3
读
-1
-2
写
+ t
DPL
（ （分钟）
+ t
DPL
（ （分钟）
20
集成电路解决方案公司
DR023-0E 6/11/2004
